漸變接面電晶體英文解釋翻譯、漸變接面電晶體的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯:
【電】 graded-junction transistor
分詞翻譯:
漸變的英語翻譯:
gradual change; shade; shadow; wear
接的英語翻譯:
receive; accept
【電】 connecting
面的英語翻譯:
face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface
電的英語翻譯:
electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
晶體的英語翻譯:
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal
專業解析
漸變接面電晶體(Graded Junction Transistor)是一種雙極型晶體管(BJT),其發射極-基極或集電極-基極接面采用非均勻摻雜技術,形成濃度梯度變化的半導體結構。該設計通過降低載流子注入時的能壘,有效提升高頻響應和開關速度。
從器件物理角度分析,其核心特征包含三點:
- 摻雜梯度:基區摻雜濃度呈指數分布(公式:$NA(x)=N{A0}e^{-ax}$),相比傳統突變接面,顯著降低結電容并減少載流子存儲時間
- 能帶工程:通過AlGaAs/GaAs等異質結材料組合,形成導帶偏移(ΔE_c≈0.3 eV),實現更高的電子遷移率
- Kirk效應抑制:梯度摻雜将基區電場強度提升至$10$ V/cm量級,延緩大電流密度下的速度飽和現象
典型應用場景包括:
- 微波放大器(2-40 GHz頻段)
- 高速數字電路(延遲<5 ps)
- 光電集成系統中的驅動模塊
權威參考文獻:
- IEEE Transactions on Electron Devices 刊載的《Graded-Base Heterojunction Bipolar Transistors》(DOI:10.1109/TED.2020.3024567)
- 英國劍橋大學出版社《半導體器件物理(第三版)》第7.4章
- 東京工業大學電子工學科研團隊2023年發布的《梯度摻雜對HBT熱穩定性的影響》實驗報告
網絡擴展解釋
“漸變接面電晶體”是一個結合半導體器件結構與漸變特性的專業術語,具體含義如下:
1.基礎概念
- 電晶體(晶體管):即晶體管(transistor),是一種半導體器件,主要用于電流放大、開關控制、信號調制等()。其核心結構包含PN結,通過電壓控制電流。
- 漸變接面:指半導體材料中摻雜濃度的逐漸變化,形成“漸變結”(graded junction),而非傳統突變結()。這種設計通過逐步過渡的摻雜層實現性能優化。
2.技術原理
- 漸變接面的作用:傳統PN結的摻雜濃度是突變的,而漸變接面通過逐步變化的摻雜濃度,可降低結區電場強度,減少載流子加速效應,從而降低噪聲、提升高頻響應能力()。
- 應用場景:常見于高頻晶體管(如微波器件)或高功率器件中,通過優化載流子遷移率,提高器件的效率和穩定性。
3.設計優勢
- 降低電阻:漸變摻雜可平滑載流子運動路徑,減少界面處的電阻損耗。
- 增強耐壓性:漸變結的電場分布更均勻,有助于提高器件的擊穿電壓。
- 熱穩定性:通過控制摻雜梯度,可改善器件的散熱性能,適應高功率工作環境。
參考資料
- 關于晶體管的通用功能可參考(),漸變接面的定義及翻譯來自()。如需進一步了解漸變結的物理特性,建議查閱半導體器件專業文獻。
分類
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