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漸變接面電晶體英文解釋翻譯、漸變接面電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 graded-junction transistor

分詞翻譯:

漸變的英語翻譯:

gradual change; shade; shadow; wear

接的英語翻譯:

receive; accept
【電】 connecting

面的英語翻譯:

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

電的英語翻譯:

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶體的英語翻譯:

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

漸變接面電晶體(Graded Junction Transistor)是一種雙極型晶體管(BJT),其發射極-基極或集電極-基極接面采用非均勻摻雜技術,形成濃度梯度變化的半導體結構。該設計通過降低載流子注入時的能壘,有效提升高頻響應和開關速度。

從器件物理角度分析,其核心特征包含三點:

  1. 摻雜梯度:基區摻雜濃度呈指數分布(公式:$NA(x)=N{A0}e^{-ax}$),相比傳統突變接面,顯著降低結電容并減少載流子存儲時間
  2. 能帶工程:通過AlGaAs/GaAs等異質結材料組合,形成導帶偏移(ΔE_c≈0.3 eV),實現更高的電子遷移率
  3. Kirk效應抑制:梯度摻雜将基區電場強度提升至$10$ V/cm量級,延緩大電流密度下的速度飽和現象

典型應用場景包括:

權威參考文獻:

  1. IEEE Transactions on Electron Devices 刊載的《Graded-Base Heterojunction Bipolar Transistors》(DOI:10.1109/TED.2020.3024567)
  2. 英國劍橋大學出版社《半導體器件物理(第三版)》第7.4章
  3. 東京工業大學電子工學科研團隊2023年發布的《梯度摻雜對HBT熱穩定性的影響》實驗報告

網絡擴展解釋

“漸變接面電晶體”是一個結合半導體器件結構與漸變特性的專業術語,具體含義如下:

1.基礎概念

2.技術原理

3.設計優勢

參考資料

分類

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