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渐变接面电晶体英文解释翻译、渐变接面电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【电】 graded-junction transistor

分词翻译:

渐变的英语翻译:

gradual change; shade; shadow; wear

接的英语翻译:

receive; accept
【电】 connecting

面的英语翻译:

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

电的英语翻译:

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶体的英语翻译:

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

专业解析

渐变接面电晶体(Graded Junction Transistor)是一种双极型晶体管(BJT),其发射极-基极或集电极-基极接面采用非均匀掺杂技术,形成浓度梯度变化的半导体结构。该设计通过降低载流子注入时的能垒,有效提升高频响应和开关速度。

从器件物理角度分析,其核心特征包含三点:

  1. 掺杂梯度:基区掺杂浓度呈指数分布(公式:$NA(x)=N{A0}e^{-ax}$),相比传统突变接面,显著降低结电容并减少载流子存储时间
  2. 能带工程:通过AlGaAs/GaAs等异质结材料组合,形成导带偏移(ΔE_c≈0.3 eV),实现更高的电子迁移率
  3. Kirk效应抑制:梯度掺杂将基区电场强度提升至$10$ V/cm量级,延缓大电流密度下的速度饱和现象

典型应用场景包括:

权威参考文献:

  1. IEEE Transactions on Electron Devices 刊载的《Graded-Base Heterojunction Bipolar Transistors》(DOI:10.1109/TED.2020.3024567)
  2. 英国剑桥大学出版社《半导体器件物理(第三版)》第7.4章
  3. 东京工业大学电子工学科研团队2023年发布的《梯度掺杂对HBT热稳定性的影响》实验报告

网络扩展解释

“渐变接面电晶体”是一个结合半导体器件结构与渐变特性的专业术语,具体含义如下:

1.基础概念

2.技术原理

3.设计优势

参考资料

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