互補金屬氧化物半導體存儲器英文解釋翻譯、互補金屬氧化物半導體存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 CMOS memory

分詞翻譯：

互補的英語翻譯：

【電】 complement; complementary

金屬氧化物半導體存儲器的英語翻譯：

【計】 metal oxide semiconductor memory; metal-oxide-semiconductor memory
MOS memory

專業解析

互補金屬氧化物半導體存儲器（CMOS存儲器）是一種基于互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）技術的集成電路存儲設備。其核心原理是通過N型與P型金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的互補結構實現低功耗、高集成度的數據存儲功能。

1.術語分解與定義

互補：指同時使用N溝道和P溝道MOSFET，兩者交替工作以降低靜态功耗。
金屬氧化物半導體：描述晶體管的三層結構，即金屬栅極、氧化物絕緣層和半導體基底（通常為矽）。
存儲器：表明該器件用于存儲二進制數據，包括易失性（如SRAM）和非易失性（如EEPROM）類型。

2.技術特性

CMOS存儲器以高噪聲容限和低功耗著稱，靜态電流僅為納安級。其制造工藝兼容性強，可與其他邏輯電路集成于同一芯片，廣泛應用于計算機BIOS、實時時鐘（RTC）電路及嵌入式系統。

3.典型應用場景

計算機主闆：存儲BIOS設置信息，依賴紐扣電池供電保持數據。
傳感器節點：用于物聯網設備中低功耗環境下的臨時數據緩存。
數字信號處理器：配合高速緩存提升運算效率。

4.權威參考文獻

《微電子電路設計》（Richard C. Jaeger著）詳細解析CMOS存儲單元電路設計原理。
IEEE固态電路期刊（IEEE Journal of Solid-State Circuits）收錄多篇CMOS存儲器工藝演進相關論文。
Intel技術文檔庫記載曆代處理器中CMOS存儲模塊的架構改進。

網絡擴展解釋

互補金屬氧化物半導體存儲器（CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是一種基于互補型金屬氧化物半導體技術的存儲器件，主要用于保存計算機系統硬件配置信息。以下是詳細解釋：

1.基本定義

CMOS全稱為“互補金屬氧化物半導體”，其核心是通過結合N型MOSFET（NMOS）和P型MOSFET（PMOS）兩種晶體管形成互補結構。這種結構在電路中交替導通，顯著降低了靜态功耗，成為現代集成電路的基礎技術。

2.作為存儲器的特性

功能：在計算機領域，CMOS存儲器特指主闆上的一塊可讀寫RAM芯片，用于存儲BIOS設置、系統時間、硬件參數等數據。
供電方式：依賴主闆電池（如紐扣電池）供電，即使計算機關機也能長期保存數據。
與普通RAM的區别：普通RAM斷電後數據丢失，而CMOS存儲器因獨立供電可持久保存信息。

3.技術原理

互補結構：NMOS負責拉低電平，PMOS負責拉高電平，兩者互補工作，僅在切換狀态時産生功耗，因此能效極高。
制造工藝：基于矽質晶圓，通過光刻等工藝集成大量晶體管，實現高密度、低成本的數字電路。

4.應用領域

計算機系統：保存啟動配置（如硬盤參數、引導順序）。
傳感器與數字電路：如攝像頭CMOS傳感器、微處理器邏輯單元等。

5.優勢與局限

優勢：低功耗、抗幹擾性強、集成度高。
局限：讀寫速度較動态RAM（DRAM）慢，通常僅用于小容量配置存儲。

如需進一步了解CMOS技術細節或曆史發展，可參考、5、6等權威來源。