互补金属氧化物半导体存储器英文解释翻译、互补金属氧化物半导体存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 CMOS memory

分词翻译：

互补的英语翻译：

【电】 complement; complementary

金属氧化物半导体存储器的英语翻译：

【计】 metal oxide semiconductor memory; metal-oxide-semiconductor memory
MOS memory

专业解析

互补金属氧化物半导体存储器（CMOS存储器）是一种基于互补金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）技术的集成电路存储设备。其核心原理是通过N型与P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的互补结构实现低功耗、高集成度的数据存储功能。

1.术语分解与定义

互补：指同时使用N沟道和P沟道MOSFET，两者交替工作以降低静态功耗。
金属氧化物半导体：描述晶体管的三层结构，即金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底（通常为硅）。
存储器：表明该器件用于存储二进制数据，包括易失性（如SRAM）和非易失性（如EEPROM）类型。

2.技术特性

CMOS存储器以高噪声容限和低功耗著称，静态电流仅为纳安级。其制造工艺兼容性强，可与其他逻辑电路集成于同一芯片，广泛应用于计算机BIOS、实时时钟（RTC）电路及嵌入式系统。

3.典型应用场景

计算机主板：存储BIOS设置信息，依赖纽扣电池供电保持数据。
传感器节点：用于物联网设备中低功耗环境下的临时数据缓存。
数字信号处理器：配合高速缓存提升运算效率。

4.权威参考文献

《微电子电路设计》（Richard C. Jaeger著）详细解析CMOS存储单元电路设计原理。
IEEE固态电路期刊（IEEE Journal of Solid-State Circuits）收录多篇CMOS存储器工艺演进相关论文。
Intel技术文档库记载历代处理器中CMOS存储模块的架构改进。

网络扩展解释

互补金属氧化物半导体存储器（CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是一种基于互补型金属氧化物半导体技术的存储器件，主要用于保存计算机系统硬件配置信息。以下是详细解释：

1.基本定义

CMOS全称为“互补金属氧化物半导体”，其核心是通过结合N型MOSFET（NMOS）和P型MOSFET（PMOS）两种晶体管形成互补结构。这种结构在电路中交替导通，显著降低了静态功耗，成为现代集成电路的基础技术。

2.作为存储器的特性

功能：在计算机领域，CMOS存储器特指主板上的一块可读写RAM芯片，用于存储BIOS设置、系统时间、硬件参数等数据。
供电方式：依赖主板电池（如纽扣电池）供电，即使计算机关机也能长期保存数据。
与普通RAM的区别：普通RAM断电后数据丢失，而CMOS存储器因独立供电可持久保存信息。

3.技术原理

互补结构：NMOS负责拉低电平，PMOS负责拉高电平，两者互补工作，仅在切换状态时产生功耗，因此能效极高。
制造工艺：基于硅质晶圆，通过光刻等工艺集成大量晶体管，实现高密度、低成本的数字电路。

4.应用领域

计算机系统：保存启动配置（如硬盘参数、引导顺序）。
传感器与数字电路：如摄像头CMOS传感器、微处理器逻辑单元等。

5.优势与局限

优势：低功耗、抗干扰性强、集成度高。
局限：读写速度较动态RAM（DRAM）慢，通常仅用于小容量配置存储。

如需进一步了解CMOS技术细节或历史发展，可参考、5、6等权威来源。