厚膜基片英文解釋翻譯、厚膜基片的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 thick-film substrate

分詞翻譯：

厚膜的英語翻譯：

【計】 thick-film
【醫】 pachyhymenia; pachymenia

基的英語翻譯：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【醫】 base; basement; group; radical

片的英語翻譯：

flake; parcel; partial; patch; piece; slice
【計】 slice
【醫】 disc; disci; discus; disk; flap; piece
【經】 card

專業解析

厚膜基片（Thick Film Substrate）是電子封裝與微電子制造領域的關鍵材料，指通過在陶瓷、玻璃或金屬等絕緣基底上沉積較厚的功能材料層（通常厚度在10-50微米）形成的電路載體。其核心特征與功能如下：

一、定義與結構

基材（Substrate）
通常采用氧化鋁（Al₂O₃）、氮化鋁（AlN）或玻璃陶瓷等高導熱、高絕緣材料，如美國電子工業協會（IPC）标準IPC-2221B中推薦的陶瓷基闆材料。

厚膜層（Thick Film Layer）
通過絲網印刷技術将導電漿料（如銀、金、钯合金）、電阻漿料或介質漿料塗覆于基材表面，經高溫燒結（約850°C）形成功能性電路，厚度顯著大于薄膜技術（<1微米）。

二、核心特性

高功率承載能力：厚膜電阻層可承受更高電流密度，適用于功率電子模塊（如汽車電子中的傳感器驅動電路）。
熱穩定性：陶瓷基材的熱膨脹系數（CTE）與矽芯片接近，減少熱應力失效風險，符合MIL-STD-883可靠性标準。
定制化設計：通過多層印刷實現高密度互連，如混合集成電路（HIC）中的信號傳輸層與接地層堆疊。

三、典型應用場景

功率電阻器與加熱元件：利用厚膜電阻漿料的溫度系數（TCR）穩定性，用于工業加熱系統。
汽車電子控制單元（ECU）：基片承載發動機控制模塊的驅動電路，耐高溫振動環境。
醫療設備傳感器：生物兼容性厚膜材料用于血壓監測電極。

四、與薄膜基片的區别

參數	厚膜基片	薄膜基片
工藝厚度	10–50 μm	0.01–1 μm
制造技術	絲網印刷+燒結	真空沉積/光刻
成本	較低（適合中批量生産）	較高（適合高精度芯片）
線路精度	±20 μm	±1 μm

權威參考來源

IPC-2221B: Generic Standard on Printed Board Design (電子電路設計規範)
NASA Technical Report: Thick Film Hybrid Circuits (厚膜混合電路技術報告)
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology (功率電子封裝研究)
MIL-STD-883: Test Method Standard for Microcircuits (軍用微電路可靠性标準)
Journal of Materials Science: Electronics (陶瓷基闆材料特性分析)
Sensors and Actuators A: Physical (醫療傳感器厚膜電極應用)

（注：以上鍊接為示例性權威來源，實際引用需确保鍊接有效性與内容相關性）

網絡擴展解釋

厚膜基片是厚膜混合集成電路中的核心基闆材料，主要用于承載厚膜元件、實現電路互連并提供散熱功能。以下是詳細解釋：

一、定義與基本特性

厚膜基片指通過絲網印刷、燒結等工藝形成的微米級膜層基底（）。其厚度通常在10-25微米之間，介于薄膜電路和常規PCB闆之間（）。理想基片需具備：

高熱導率（如氧化铍基片散熱性能優異）
低電導率（保證電路絕緣性）
高溫穩定性（承受850℃高溫工藝）
低介質損耗（減少信號衰減）（）

二、材料選擇

常用材料包括：

氧化鋁陶瓷（Al₂O₃）：占比96%的主流選擇，成本低且綜合性能平衡（）
氧化铍（BeO）：導熱系數是氧化鋁的10倍，適用于大功率場景（）
複合陶瓷：如氧化鎂、二氧化钍等組合材料（）

三、制造工藝

采用流延成型工藝制造基片，通過漿料印刷、高溫燒結形成緻密結構。表面要求：

中心線平均值（CLA）≤0.1μm，确保元件精準印刷
翹曲度≤0.1mm/25mm，保證電路平整度（）

四、應用領域

主要應用于：

功率電子器件（如功放模塊）
汽車電子控制系統
航空航天設備
醫療儀器（）

注：如需了解具體工藝流程或材料配比，可查閱、等來源獲取完整技術細節。