固态存儲元件英文解釋翻譯、固态存儲元件的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 solid state memory element

solid state
【計】 solid state

【計】 memory element

固态存儲元件（Solid-State Storage Element）是指基于半導體技術制造的、無機械運動部件的非易失性存儲單元，利用電學原理實現數據的寫入、擦除與讀取。其核心特征包括：

物理結構
由浮栅晶體管（Floating Gate Transistor）或電荷捕獲層（Charge Trap Layer）構成存儲單元，通過絕緣層（如二氧化矽）隔離電荷。例如NAND閃存中，每個存儲單元通過存儲電子數量表示二進制數據（如SLC存儲1比特，MLC/TLC/QLC存儲多比特）。
工作原理
- 寫入：施加高電壓使電子穿越絕緣層（Fowler-Nordheim隧穿或熱電子注入），改變晶體管阈值電壓。
- 擦除：反向電壓驅散浮栅中的電子。
- 讀取：檢測晶體管導通狀态判斷存儲值。
關鍵特性
- 非易失性：斷電後數據保留（典型保留時間 >10年）。
- 抗物理沖擊：無機械結構，耐震動（符合MIL-STD-810G軍标）。
- 低延遲：存取時間達微秒級（機械硬盤為毫秒級）。
典型應用
用于固态硬盤（SSD）、eMMC/UFS嵌入式存儲、SD卡等，覆蓋消費電子至數據中心場景。例如3D NAND技術通過垂直堆疊單元提升密度（當前達200+層）。

權威參考來源：

固态存儲元件是指用于固态存儲設備中的核心物理部件，主要基于半導體技術實現數據存儲。以下是詳細解釋：

固态存儲元件是構成固态硬盤（SSD）的基礎單元，由浮栅晶體管構成。每個存儲單元通過電信號存儲數據，其核心結構包含：

新一代3D NAND技術通過垂直堆疊存儲單元，将存儲密度提升至128層以上，相比傳統平面NAND容量增加5倍。相變存儲器（PCM）和阻變存儲器（ReRAM）等新型元件正在研發中，有望突破現有性能瓶頸。

主要應用于：

（注：完整技術參數可參考、3、6的原始數據）