
【電】 silicon planar transistor
silicon
【醫】 Si; silicium; silicon
【計】 planar transistor
矽平面晶體管(Silicon Planar Transistor)是一種基于半導體材料矽的三端電子器件,采用平面制造工藝實現。其核心結構由發射極、基極和集電極組成,通過摻雜形成PN結以控制電流。該器件的工作原理基于載流子在P型和N型半導體區域間的擴散與複合,通過基極電流調節集電極-發射極間的導通狀态。
從技術特性看,矽平面晶體管具備高頻響應快、熱穩定性強和集成度高的優勢,這得益于其平面工藝中氧化層隔離和光刻技術的應用。這類器件在模拟電路、數字邏輯門及功率放大等領域有廣泛應用,例如在《微電子器件與電路設計》中記載的運算放大器核心模塊構建。
根據貝爾實驗室1959年的技術文獻,平面工藝的突破使晶體管體積縮小了80%,同時提升了器件的可靠性和批量生産能力,這直接推動了集成電路的産業化進程。當前該技術已延伸至CMOS工藝,成為現代微電子制造的基石。
矽平面晶體管是一種采用平面工藝制造的半導體器件,主要基于矽材料。以下是其核心特點的解析:
矽平面晶體管屬于晶體管的一種,其核心結構采用平面技術制造。與傳統的真空管相比,它具有體積小、耐震動、功耗低等優勢。
台面結構晶體管主要用于低頻或低頻高反壓場景,而平面型在頻率和集成度上更具優勢。
總結來看,矽平面晶體管的核心價值在于其高頻性能和可靠性,是現代電子設備中高頻電路的關鍵元件。
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