
【电】 silicon planar transistor
silicon
【医】 Si; silicium; silicon
【计】 planar transistor
硅平面晶体管(Silicon Planar Transistor)是一种基于半导体材料硅的三端电子器件,采用平面制造工艺实现。其核心结构由发射极、基极和集电极组成,通过掺杂形成PN结以控制电流。该器件的工作原理基于载流子在P型和N型半导体区域间的扩散与复合,通过基极电流调节集电极-发射极间的导通状态。
从技术特性看,硅平面晶体管具备高频响应快、热稳定性强和集成度高的优势,这得益于其平面工艺中氧化层隔离和光刻技术的应用。这类器件在模拟电路、数字逻辑门及功率放大等领域有广泛应用,例如在《微电子器件与电路设计》中记载的运算放大器核心模块构建。
根据贝尔实验室1959年的技术文献,平面工艺的突破使晶体管体积缩小了80%,同时提升了器件的可靠性和批量生产能力,这直接推动了集成电路的产业化进程。当前该技术已延伸至CMOS工艺,成为现代微电子制造的基石。
硅平面晶体管是一种采用平面工艺制造的半导体器件,主要基于硅材料。以下是其核心特点的解析:
硅平面晶体管属于晶体管的一种,其核心结构采用平面技术制造。与传统的真空管相比,它具有体积小、耐震动、功耗低等优势。
台面结构晶体管主要用于低频或低频高反压场景,而平面型在频率和集成度上更具优势。
总结来看,硅平面晶体管的核心价值在于其高频性能和可靠性,是现代电子设备中高频电路的关键元件。
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