矽襯底英文解釋翻譯、矽襯底的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯：
【計】 silicon substrate
分詞翻譯：
矽的英語翻譯：
silicon
【醫】 Si; silicium; silicon
襯底的英語翻譯：
underlay
【計】 MOS substrate; substrate
專業解析
矽襯底（Silicon Substrate）是半導體制造中的核心基礎材料，指用于承載和生長各類半導體器件結構的單晶矽圓片。在電子工程領域，其英文術語為Silicon Substrate，屬于複合名詞（Compound Noun），其中：
- Silicon（矽）：化學元素符號 Si，地殼中含量第二的元素，具有穩定的半導體特性。
- Substrate（襯底）：指作為其他材料沉積或生長基礎的支撐體。
技術定義與作用
矽襯底是經過晶體生長、切割、抛光和清洗後形成的高純度單晶矽圓片（Wafer）。其主要功能包括：
- 機械支撐：為薄膜晶體管（TFT）、集成電路（IC）等器件提供物理載體。
- 電學基礎：通過摻雜形成P型或N型半導體，構建器件導電通道。
- 熱管理：矽的高熱導率（約 150 W/m·K）有助于器件散熱。
應用場景
- 集成電路制造：90%以上芯片以矽襯底為基礎，通過光刻、蝕刻等工藝形成納米級電路。
- MEMS傳感器：利用矽的機械特性制造加速度計、陀螺儀等微機電系統。
- 光伏産業：單晶矽襯底用于高效太陽能電池，光電轉換效率可達26%以上。
權威參考來源
- 國際半導體技術路線圖（ITRS）定義矽襯底為“半導體器件的物理與電學基礎平台” 。
- 劍橋大學材料系指出，矽的晶格結構（金剛石立方）是其成為主流襯底的關鍵因素 。
- IEEE電子器件協會強調，300mm直徑矽襯底是現代晶圓廠的标準規格，厚度通常為775μm 。
引用來源：
國際半導體技術路線圖（ITRS）2015版
劍橋大學材料系：矽晶體特性
IEEE電子器件協會：矽晶圓标準
網絡擴展解釋
矽襯底是半導體制造中的基礎材料，通常指單晶矽或多晶矽制成的基片，具有以下核心特點和應用：
一、定義與結構
矽襯底是半導體器件的物理載體，為電子元件提供結構支撐和電學性能基礎。其晶體結構為金剛石立方晶系（Fd3m空間群），原子通過共價鍵形成三維網絡結構。
二、核心特性
- 半導體性能：矽的禁帶寬度適中（約1.12eV），可通過摻雜調控導電性。
- 物理穩定性：熔點高達1414℃，熱膨脹系數低，適合高溫工藝。
- 加工優勢：純度可達99.9999999%（9N級），且可通過CZ法生長大尺寸單晶（如12英寸晶圓）。
三、應用領域
- 集成電路：90%以上的芯片基于矽襯底制造，包括CPU、存儲器等
- 光電子器件：用于矽基LED、光電探測器等新型器件開發
- 新能源：光伏電池的主要基闆材料，占比超95%的太陽能電池使用矽襯底
四、制造工藝
從矽錠切割成裸片後，需經過抛光（表面粗糙度<1nm）、清洗等工序形成襯底，再通過外延生長等工藝形成功能層。CMOS工藝中，矽襯底經過超過500道工序可制成現代芯片。
注：更詳細的技術參數可參考半導體制造專業文獻，部分基礎數據來源于豆丁網和淘豆網的技術文檔。
分類
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