集射電極英文解釋翻譯、集射電極的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 beam-forming electrode

collect; collection; gather; volume
【電】 set

discharge in a jet; fire; insinuate; send out; shoot
【醫】 ray

electrode; pole
【化】 electrode; pole
【醫】 electrode; rheophore

在電子工程領域，“集射電極”是雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）中兩個關鍵電極的合稱，具體指：

集電極 (Collector, C)：
- 功能：主要作用是收集從發射區注入并通過基區到達集電區的多數載流子（在NPN管中是電子，在PNP管中是空穴），形成集電極電流 (I_C)。它通常連接電路的高電位端或負載。
- 結構特點：集電區摻雜濃度通常低于發射區，但面積相對較大，以利于收集載流子并承受較高的反向電壓。
發射極 (Emitter, E)：
- 功能：主要作用是向基區注入（發射）多數載流子（在NPN管中是電子，在PNP管中是空穴），形成發射極電流 (I_E)。它是載流子的來源。
- 結構特點：發射區摻雜濃度很高，以利于高效地注入載流子進入基區。

“集射電極”的物理意義與重要性：

這兩個電極共同構成了BJT的主要電流通路。電流從發射極流入（對于NPN，實際電子流出），絕大部分穿過基區後被集電極收集流出。
它們之間的電壓 (V{CE})（集電極-發射極電壓）是BJT最重要的偏置電壓之一，決定了晶體管的工作區域（截止區、放大區、飽和區）。 $$ V{CE} = V_C - V_E $$
晶體管的關鍵特性參數，如電流放大系數 (beta)（或 (h_{FE})），描述了基極電流 (I_B) 對集電極電流 (I_C) 的控制能力，其關系為： $$ I_C = beta I_B quad (text{在放大區近似成立}) $$
最大集電極-發射極電壓 (V_{CEO}) 是晶體管的重要極限參數，指基極開路時，集電極和發射極之間能承受的最大反向電壓。

權威參考來源：

半導體器件物理經典教材：如 S. M. Sze 的 Physics of Semiconductor Devices或 B. G. Streetman 的 Solid State Electronic Devices都詳細闡述了BJT的工作原理和各電極的作用。
IEEE 标準與術語庫：IEEE Xplore Digital Library 中收錄的标準和論文嚴格定義了電子器件的術語。
知名電子元器件制造商數據手冊：如德州儀器 (TI)、安森美 (ON Semiconductor)、恩智浦 (NXP) 等公司發布的BJT數據手冊（Datasheet）會明确标注 Collector 和 Emitter 引腳及其參數。

參考文獻：

“集射電極”這一表述可能存在混淆。在三極管（晶體管）中，常見的三個電極為集電極、基極和發射極，而“集射電極”可能是指集電極和發射極的合并表述。以下是兩者的詳細解釋：

定義：三極管中從發射區引出的電極，負責發射載流子。
功能：
- 通過發射結（PN結）向基區注入載流子（如電子或空穴），形成發射極電流（(I_E)）。
- 發射極電流是基極電流（(I_B)）和集電極電流（(I_C)）之和，即 (I_E = I_B + I_C)。
結構特性：發射區摻雜濃度高，便于高效發射載流子。

若需進一步了解三極管的具體電路應用或符號表示，可參考電子技術教材或權威資料。