累積栅極英文解釋翻譯、累積栅極的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 giant grid

accumulate; accumulation; cumulate; cumulation; heap; pile
【醫】 accumulation
【經】 accumulate

grid
【化】 grid

在電子工程領域，“累積栅極”（Accumulation Gate）是一種應用于半導體器件中的特殊電極結構，主要用于控制電荷在特定區域内的聚集與傳輸。以下是其核心概念的詳細解釋：

定義與結構
累積栅極通常指金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）中處于累積工作模式的栅極結構。當栅極施加的電壓極性使多數載流子（如P型半導體中的空穴）在溝道表面聚集時，器件進入“累積狀态”，此時栅極電場主導電荷分布。該結構常見于非易失性存儲器（如閃存）和傳感器設計中。
工作原理
在累積模式下，栅極電壓低于平帶電壓（Flat-Band Voltage），導緻半導體表面形成與襯底同類型的載流子富集層。電荷密度隨電壓變化的關系可表示為： $$ Q{acc} = -C{ox} cdot (V{gb} - V{fb}) $$ 其中$Q{acc}$為累積電荷密度，$C{ox}$為氧化層電容，$V{gb}$為栅極-襯底電壓，$V{fb}$為平帶電壓。
應用場景

關于“累積栅極”這一術語，目前可查的權威資料中并未直接提及該組合詞的定義。但結合“栅極”的基礎概念和相關技術背景，可以嘗試進行以下分析：

栅極（shān jí）是電子管或多極電子管中的關鍵電極，通常位于陰極附近，結構呈細絲網或螺旋狀。它的核心作用是控制闆極電流強度，通過調節栅極電壓來改變電子管的放大性能或工作狀态。

在電子學中，“累積”可能指以下兩種情況：

“累積栅極”可能是以下兩種技術場景的表述：

累積型場效應管（Accumulation-mode FET）：某些特殊設計的場效應管在栅極施加電壓時，溝道區會形成載流子累積層，而非反型層。這種模式下，栅極對電流的控制方式與傳統結構不同。
多級栅極系統：在高壓或高頻器件中，可能采用多個栅極結構疊加，以實現更精準的電流調控或信號放大。

如需更專業的解釋，請提供更多技術背景或應用場景。