累积栅极英文解释翻译、累积栅极的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 giant grid

分词翻译：

累积的英语翻译：

accumulate; accumulation; cumulate; cumulation; heap; pile
【医】 accumulation
【经】 accumulate

栅极的英语翻译：

grid
【化】 grid

专业解析

在电子工程领域，“累积栅极”（Accumulation Gate）是一种应用于半导体器件中的特殊电极结构，主要用于控制电荷在特定区域内的聚集与传输。以下是其核心概念的详细解释：

1. 定义与结构

   累积栅极通常指金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）中处于累积工作模式的栅极结构。当栅极施加的电压极性使多数载流子（如P型半导体中的空穴）在沟道表面聚集时，器件进入“累积状态”，此时栅极电场主导电荷分布。该结构常见于非易失性存储器（如闪存）和传感器设计中。

2. 工作原理

   在累积模式下，栅极电压低于平带电压（Flat-Band Voltage），导致半导体表面形成与衬底同类型的载流子富集层。电荷密度随电压变化的关系可表示为： $$ Q{acc} = -C{ox} cdot (V{gb} - V{fb}) $$ 其中$Q{acc}$为累积电荷密度，$C{ox}$为氧化层电容，$V{gb}$为栅极-衬底电压，$V{fb}$为平带电压。

3. 应用场景

• 存储器技术：在NAND闪存中，累积栅极用于控制浮栅的电荷注入与擦除，直接影响数据存储稳定性（参考：IEEE Electron Device Letters）。
• 传感器设计：某些光电传感器通过调节累积栅极电压来增强光生载流子的收集效率（参考：Springer半导体器件物理手册）。
• 射频器件：高频MOSFET利用累积模式降低导通电阻，提升信号传输速度（参考：IEEE Transactions on Electron Devices）。

4. 技术优势

   相较于反型模式，累积模式下的器件具有更低的功耗和更快的响应速度，尤其在纳米级制程中能有效抑制短沟道效应。

网络扩展解释

关于“累积栅极”这一术语，目前可查的权威资料中并未直接提及该组合词的定义。但结合“栅极”的基础概念和相关技术背景，可以尝试进行以下分析：

1.栅极的基本定义

栅极（shān jí）是电子管或多极电子管中的关键电极，通常位于阴极附近，结构呈细丝网或螺旋状。它的核心作用是控制板极电流强度，通过调节栅极电压来改变电子管的放大性能或工作状态。

2.“累积”的可能含义

在电子学中，“累积”可能指以下两种情况：

• 电荷累积：例如在MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）中，栅极电压变化会导致半导体表面形成电荷累积层，从而控制电流导通。
• 结构或功能叠加：如多层栅极设计，通过不同层级协同作用增强控制效果。

3.可能的解释

“累积栅极”可能是以下两种技术场景的表述：

• 累积型场效应管（Accumulation-mode FET）：某些特殊设计的场效应管在栅极施加电压时，沟道区会形成载流子累积层，而非反型层。这种模式下，栅极对电流的控制方式与传统结构不同。
• 多级栅极系统：在高压或高频器件中，可能采用多个栅极结构叠加，以实现更精准的电流调控或信号放大。

4.注意事项

• 该术语并非标准电子学术语，建议结合具体上下文（如文献、电路图）进一步确认含义。
• 若涉及半导体器件，可参考场效应管中“增强型”与“耗尽型”的工作模式差异，辅助理解可能的累积效应。

如需更专业的解释，请提供更多技术背景或应用场景。

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