擴散晶體管英文解釋翻譯、擴散晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffusion transistor

分詞翻譯：

擴散的英語翻譯：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

擴散晶體管（Diffused Transistor）是一種通過高溫固态擴散工藝在半導體晶片（如鍺或矽）上形成PN結和電極的晶體管。其核心特征在于利用雜質原子在高溫下向半導體基體内部擴散，形成精确的摻雜區域，從而構成晶體管的三極結構（發射極、基極、集電極）。以下是詳細解釋：

術語定義與核心工藝
擴散晶體管的關鍵在于“擴散”（Diffusion）工藝。該工藝将半導體晶片置于高溫（約800°C–1200°C）環境中，使氣态或固态的摻雜劑（如硼、磷）原子獲得足夠能量，從晶片表面向内部擴散滲透，形成濃度梯度變化的P型或N型區域。這種受控擴散能精确制造出極薄（微米級）的基區，顯著提升高頻性能。相較于早期的合金結晶體管，擴散法能實現更小尺寸、更高頻率和更優一緻性。
結構特征與類型
典型的擴散晶體管結構包括：
- 雙擴散晶體管：在集電區（N型矽）表面先擴散形成P型基區，再在基區上擴散形成N型發射區（NPN型），通過兩次擴散控制基區寬度。
- 台面結構：擴散後通過化學蝕刻形成凸起的“台面”隔離各器件，減少寄生電容（早期工藝）。
- 平面結構：結合擴散與氧化掩膜技術，直接在平坦表面形成結和電極引線區，成為現代集成電路的基礎。
物理原理與擴散方程
擴散過程遵循菲克定律（Fick's Law）。一維擴散的濃度分布可表示為：

$$ frac{partial C}{partial t} = D frac{partial C}{partial x} $$

其中 ( C ) 為雜質濃度，( D ) 為擴散系數（與溫度呈指數關系），( x ) 為擴散深度。高斯分布或餘誤差函數分布常用于描述擴散後的雜質剖面，直接影響晶體管電流增益 ( beta ) 和截止頻率 ( f_T ) 。
曆史意義與技術演進
擴散工藝在1950年代由貝爾實驗室開發，解決了合金結晶體管的基區厚度限制問題，催生了高頻開關器件。其與光刻、氧化技術的結合，直接推動了平面工藝的誕生，為矽集成電路的大規模生産奠定基礎。現代CMOS工藝中的阱區、源漏擴展區仍采用改進的擴散或離子注入-退火技術實現摻雜。

參考文獻來源：

Sedra, A. S., & Smith, K. C. Microelectronic Circuits (Oxford University Press) - 擴散工藝原理與器件模型章節
IEEE Electron Devices Society. Early Semiconductor History (官方技術史料)
Sze, S. M., & Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices (Wiley) - 擴散工藝與平面技術發展
Jaeger, R. C. Introduction to Microelectronic Fabrication (Prentice Hall) - 擴散方程與工藝控制

網絡擴展解釋

“擴散晶體管”是電子學領域的專業術語，其解釋及背景如下：

1.定義與翻譯

中文全稱：擴散晶體管
英文對應：根據不同工藝分為兩種：
- Diffusion transistor（）：泛指通過擴散工藝制造的晶體管，常用于早期半導體器件。
- Diffused-alloy transistor（擴散合金晶體管）：指結合擴散與合金工藝制造的晶體管，屬于高精度器件（）。

2.核心工藝解析

擴散工藝：在半導體材料（如矽、鍺）表面高溫擴散摻入雜質（如磷、硼），形成PN結。這一過程決定了晶體管的電學特性（）。

3.技術特點

優勢：相比真空管，具有體積小、抗震性強、能耗低等特點（）。
應用場景：早期用于無線電技術中的整流、檢波、放大等電路，後逐漸被平面晶體管等新技術替代。

4.曆史與發展

背景：20世紀50-60年代，擴散工藝是制造雙極型晶體管的主流技術，推動了半導體行業的發展（綜合和）。

如需進一步了解擴散工藝的化學原理或具體器件結構，建議查閱半導體物理專業文獻。