扩散晶体管英文解释翻译、扩散晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffusion transistor

分词翻译：

扩散的英语翻译：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【计】 scattering
【化】 scatter
【医】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

扩散晶体管（Diffused Transistor）是一种通过高温固态扩散工艺在半导体晶片（如锗或硅）上形成PN结和电极的晶体管。其核心特征在于利用杂质原子在高温下向半导体基体内部扩散，形成精确的掺杂区域，从而构成晶体管的三极结构（发射极、基极、集电极）。以下是详细解释：

术语定义与核心工艺
扩散晶体管的关键在于“扩散”（Diffusion）工艺。该工艺将半导体晶片置于高温（约800°C–1200°C）环境中，使气态或固态的掺杂剂（如硼、磷）原子获得足够能量，从晶片表面向内部扩散渗透，形成浓度梯度变化的P型或N型区域。这种受控扩散能精确制造出极薄（微米级）的基区，显著提升高频性能。相较于早期的合金结晶体管，扩散法能实现更小尺寸、更高频率和更优一致性。
结构特征与类型
典型的扩散晶体管结构包括：
- 双扩散晶体管：在集电区（N型硅）表面先扩散形成P型基区，再在基区上扩散形成N型发射区（NPN型），通过两次扩散控制基区宽度。
- 台面结构：扩散后通过化学蚀刻形成凸起的“台面”隔离各器件，减少寄生电容（早期工艺）。
- 平面结构：结合扩散与氧化掩膜技术，直接在平坦表面形成结和电极引线区，成为现代集成电路的基础。
物理原理与扩散方程
扩散过程遵循菲克定律（Fick's Law）。一维扩散的浓度分布可表示为：

$$ frac{partial C}{partial t} = D frac{partial C}{partial x} $$

其中 ( C ) 为杂质浓度，( D ) 为扩散系数（与温度呈指数关系），( x ) 为扩散深度。高斯分布或余误差函数分布常用于描述扩散后的杂质剖面，直接影响晶体管电流增益 ( beta ) 和截止频率 ( f_T ) 。
历史意义与技术演进
扩散工艺在1950年代由贝尔实验室开发，解决了合金结晶体管的基区厚度限制问题，催生了高频开关器件。其与光刻、氧化技术的结合，直接推动了平面工艺的诞生，为硅集成电路的大规模生产奠定基础。现代CMOS工艺中的阱区、源漏扩展区仍采用改进的扩散或离子注入-退火技术实现掺杂。

参考文献来源：

Sedra, A. S., & Smith, K. C. Microelectronic Circuits (Oxford University Press) - 扩散工艺原理与器件模型章节
IEEE Electron Devices Society. Early Semiconductor History (官方技术史料)
Sze, S. M., & Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices (Wiley) - 扩散工艺与平面技术发展
Jaeger, R. C. Introduction to Microelectronic Fabrication (Prentice Hall) - 扩散方程与工艺控制

网络扩展解释

“扩散晶体管”是电子学领域的专业术语，其解释及背景如下：

1.定义与翻译

中文全称：扩散晶体管
英文对应：根据不同工艺分为两种：
- Diffusion transistor（）：泛指通过扩散工艺制造的晶体管，常用于早期半导体器件。
- Diffused-alloy transistor（扩散合金晶体管）：指结合扩散与合金工艺制造的晶体管，属于高精度器件（）。

2.核心工艺解析

扩散工艺：在半导体材料（如硅、锗）表面高温扩散掺入杂质（如磷、硼），形成PN结。这一过程决定了晶体管的电学特性（）。

3.技术特点

优势：相比真空管，具有体积小、抗震性强、能耗低等特点（）。
应用场景：早期用于无线电技术中的整流、检波、放大等电路，后逐渐被平面晶体管等新技术替代。

4.历史与发展

背景：20世纪50-60年代，扩散工艺是制造双极型晶体管的主流技术，推动了半导体行业的发展（综合和）。

如需进一步了解扩散工艺的化学原理或具体器件结构，建议查阅半导体物理专业文献。