擴散接面英文解釋翻譯、擴散接面的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffused junction

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

receive; accept
【電】 connecting

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

在半導體物理學中，“擴散接面”（英文：Diffusion Junction）指通過高溫擴散工藝在半導體材料（如矽）内部形成的PN 結區域。其核心含義和過程如下：

工藝本質：将特定雜質原子（施主或受主）在高溫下擴散進入半導體晶圓表面，使其濃度超過基體材料的原始摻雜濃度，從而在半導體内部形成導電類型（P型或N型）發生突變的區域邊界，即PN結。這個通過擴散形成的結就是“擴散接面”。
關鍵特征：
- 梯度分布：與合金法形成的突變結不同，擴散法形成的結區雜質濃度呈梯度變化，結面位置由擴散深度和濃度分布決定。
- 位于内部：結面位于半導體材料内部一定深度處，而非表面。
- 制造基礎：是早期制造二極管、晶體管等半導體器件（尤其是雙極型器件）的核心工藝步驟之一。

權威參考來源：

經典半導體物理與器件教材：如 S. M. Sze 的《Physics of Semiconductor Devices》或 B. G. Streetman 的《Solid State Electronic Devices》詳細闡述了擴散工藝形成PN結的原理、雜質分布模型（如餘誤差函數、高斯分布）及其對器件特性的影響。
半導體制造工藝手冊：如《矽半導體工藝數據手冊》或國際通用的《International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)》曆史文檔（及其後繼者IRDS）均将擴散列為關鍵工藝步驟之一，用于形成結和調整器件參數。
國家标準/行業術語：中國國家标準如《GB/T 14113-2008 半導體集成電路術語》或美國電氣和電子工程師協會标準（IEEE Standards）中定義了半導體工藝相關術語，擴散結（Diffusion Junction/Diffused Junction）是其中的基礎概念。

“擴散接面”特指通過高溫熱擴散摻雜工藝在半導體内部形成的、具有梯度雜質濃度分布的PN結。它是半導體器件（尤其是雙極型器件）制造的傳統核心工藝之一，區别于外延生長、離子注入等其他結形成方法。其原理和特性在權威的半導體物理、器件及工藝著作中有系統闡述。

“擴散接面”是一個專業術語，在不同領域有特定含義，需結合上下文理解。以下是綜合解釋：

擴散焊接（參考）：通過高溫加壓使材料接觸面原子擴散，形成固态連接。此過程中，初始不平整的接面在壓力下擴大接觸面積，原子擴散後形成再結晶的金屬連接界面。這種工藝常用于精密器件或異種材料結合（）。

若需更具體的領域解釋（如半導體或焊接工藝），建議補充上下文。