扩散接面英文解释翻译、扩散接面的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffused junction

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【计】 scattering
【化】 scatter
【医】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

receive; accept
【电】 connecting

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

在半导体物理学中，“扩散接面”（英文：Diffusion Junction）指通过高温扩散工艺在半导体材料（如硅）内部形成的PN 结区域。其核心含义和过程如下：

工艺本质：将特定杂质原子（施主或受主）在高温下扩散进入半导体晶圆表面，使其浓度超过基体材料的原始掺杂浓度，从而在半导体内部形成导电类型（P型或N型）发生突变的区域边界，即PN结。这个通过扩散形成的结就是“扩散接面”。
关键特征：
- 梯度分布：与合金法形成的突变结不同，扩散法形成的结区杂质浓度呈梯度变化，结面位置由扩散深度和浓度分布决定。
- 位于内部：结面位于半导体材料内部一定深度处，而非表面。
- 制造基础：是早期制造二极管、晶体管等半导体器件（尤其是双极型器件）的核心工艺步骤之一。

权威参考来源：

经典半导体物理与器件教材：如 S. M. Sze 的《Physics of Semiconductor Devices》或 B. G. Streetman 的《Solid State Electronic Devices》详细阐述了扩散工艺形成PN结的原理、杂质分布模型（如余误差函数、高斯分布）及其对器件特性的影响。
半导体制造工艺手册：如《硅半导体工艺数据手册》或国际通用的《International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)》历史文档（及其后继者IRDS）均将扩散列为关键工艺步骤之一，用于形成结和调整器件参数。
国家标准/行业术语：中国国家标准如《GB/T 14113-2008 半导体集成电路术语》或美国电气和电子工程师协会标准（IEEE Standards）中定义了半导体工艺相关术语，扩散结（Diffusion Junction/Diffused Junction）是其中的基础概念。

“扩散接面”特指通过高温热扩散掺杂工艺在半导体内部形成的、具有梯度杂质浓度分布的PN结。它是半导体器件（尤其是双极型器件）制造的传统核心工艺之一，区别于外延生长、离子注入等其他结形成方法。其原理和特性在权威的半导体物理、器件及工艺著作中有系统阐述。

“扩散接面”是一个专业术语，在不同领域有特定含义，需结合上下文理解。以下是综合解释：

扩散焊接（参考）：通过高温加压使材料接触面原子扩散，形成固态连接。此过程中，初始不平整的接面在压力下扩大接触面积，原子扩散后形成再结晶的金属连接界面。这种工艺常用于精密器件或异种材料结合（）。

若需更具体的领域解释（如半导体或焊接工艺），建议补充上下文。