擴散合金晶體管英文解釋翻譯、擴散合金晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffused-alloy transistor

分詞翻譯：

擴散的英語翻譯：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

合金的英語翻譯：

alloy; metal
【化】 alloy
【醫】 alloy
【經】 alloy

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

擴散合金晶體管（Diffused-Alloy Transistor）是一種結合擴散工藝與合金工藝制造的半導體器件，屬于早期雙極型晶體管的重要類型。其核心結構由鍺或矽半導體材料構成，通過摻雜技術形成P-N結。該器件名稱中的“擴散”指代高溫擴散摻雜形成基區的過程，“合金”則指代電極與半導體材料通過熔融結合的方式。

技術特征解析：

結構組成：采用N型半導體晶片作為集電區，通過氣相擴散磷或砷形成薄層P型基區，最後在基區表面熔接铟球形成合金化發射極（美國貝爾實驗室1952年專利US 2638502詳細描述了該工藝）。
性能優勢：相比點接觸晶體管，具有更穩定的頻率響應（典型截止頻率達10MHz）和更低噪聲系數，被廣泛應用于1950-1960年代的無線電接收機（參見《電子器件發展史》第三章）。
工藝局限：合金過程易導緻結深控制困難，後續被平面工藝取代。美國RCA公司TA-153型晶體管是該技術的典型代表，其技術文檔記載了$V_{CE}=20V$、$I_C=10mA$的額定參數。

網絡擴展解釋

擴散合金晶體管是一種結合擴散工藝與合金工藝制造的半導體器件，其核心特點在于基區通過擴散法形成，從而優化了晶體管的性能。以下是詳細解釋：

1.定義與結構

該晶體管英文名稱為diffused-alloy transistor或drift transistor，屬于雙極型晶體管（BJT），由發射結和集電結兩個背靠背的PN結構成。
基區采用擴散工藝形成，雜質濃度呈梯度分布，形成自建電場，使載流子運動以漂移為主（因此得名“漂移晶體管”）。

2.制造工藝

傳統合金晶體管：基區寬度較大（約10微米），頻率特性較差，僅適用于低頻場景。
擴散合金晶體管：通過擴散法将基區寬度縮小至2-3微米，同時基區雜質濃度分布更均勻，顯著提升了高頻響應能力。

3.性能優勢

高頻特性好：基區寬度減小和雜質梯度分布減少了載流子渡越時間，適合高頻放大和高速開關電路。
穩定性高：擴散工藝使結深（如發射結Xje、集電結Xjc）更可控，器件可靠性增強。

4.應用場景

主要用于高頻放大（如通信設備）、高速開關電路（如數字邏輯電路）等對頻率響應要求較高的領域。

5.與其他工藝的對比

相比平面晶體管（擴散型），擴散合金晶體管更早采用擴散技術，但後期平面工藝進一步優化了基區電場設計，成為主流制造方式。

總結來看，擴散合金晶體管通過工藝革新解決了傳統合金管的性能瓶頸，是早期高頻半導體器件的重要代表。