扩散合金晶体管英文解释翻译、扩散合金晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffused-alloy transistor

分词翻译：

扩散的英语翻译：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【计】 scattering
【化】 scatter
【医】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

合金的英语翻译：

alloy; metal
【化】 alloy
【医】 alloy
【经】 alloy

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

扩散合金晶体管（Diffused-Alloy Transistor）是一种结合扩散工艺与合金工艺制造的半导体器件，属于早期双极型晶体管的重要类型。其核心结构由锗或硅半导体材料构成，通过掺杂技术形成P-N结。该器件名称中的“扩散”指代高温扩散掺杂形成基区的过程，“合金”则指代电极与半导体材料通过熔融结合的方式。

技术特征解析：

结构组成：采用N型半导体晶片作为集电区，通过气相扩散磷或砷形成薄层P型基区，最后在基区表面熔接铟球形成合金化发射极（美国贝尔实验室1952年专利US 2638502详细描述了该工艺）。
性能优势：相比点接触晶体管，具有更稳定的频率响应（典型截止频率达10MHz）和更低噪声系数，被广泛应用于1950-1960年代的无线电接收机（参见《电子器件发展史》第三章）。
工艺局限：合金过程易导致结深控制困难，后续被平面工艺取代。美国RCA公司TA-153型晶体管是该技术的典型代表，其技术文档记载了$V_{CE}=20V$、$I_C=10mA$的额定参数。

网络扩展解释

扩散合金晶体管是一种结合扩散工艺与合金工艺制造的半导体器件，其核心特点在于基区通过扩散法形成，从而优化了晶体管的性能。以下是详细解释：

1.定义与结构

该晶体管英文名称为diffused-alloy transistor或drift transistor，属于双极型晶体管（BJT），由发射结和集电结两个背靠背的PN结构成。
基区采用扩散工艺形成，杂质浓度呈梯度分布，形成自建电场，使载流子运动以漂移为主（因此得名“漂移晶体管”）。

2.制造工艺

传统合金晶体管：基区宽度较大（约10微米），频率特性较差，仅适用于低频场景。
扩散合金晶体管：通过扩散法将基区宽度缩小至2-3微米，同时基区杂质浓度分布更均匀，显著提升了高频响应能力。

3.性能优势

高频特性好：基区宽度减小和杂质梯度分布减少了载流子渡越时间，适合高频放大和高速开关电路。
稳定性高：扩散工艺使结深（如发射结Xje、集电结Xjc）更可控，器件可靠性增强。

4.应用场景

主要用于高频放大（如通信设备）、高速开关电路（如数字逻辑电路）等对频率响应要求较高的领域。

5.与其他工艺的对比

相比平面晶体管（扩散型），扩散合金晶体管更早采用扩散技术，但后期平面工艺进一步优化了基区电场设计，成为主流制造方式。

总结来看，扩散合金晶体管通过工艺革新解决了传统合金管的性能瓶颈，是早期高频半导体器件的重要代表。