擴散高台晶體管英文解釋翻譯、擴散高台晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffused mesa transistor

分詞翻譯：

擴散的英語翻譯：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

高的英語翻譯：

high; high-priced; lofty; loud; tall
【醫】 homo-; hyper-; hypsi-; hypso-; per-

台的英語翻譯：

broadcasting station; dais; desk; platform; stage; support; table
【醫】 table

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

擴散高台晶體管（Diffusion Mesa Transistor）是早期半導體器件的一種重要結構類型，其名稱源于兩個核心工藝特征：擴散摻雜技術與台面（mesa）蝕刻成型技術。該器件通過氣相擴散工藝在半導體基底上形成PN結，再通過化學蝕刻形成階梯狀的台面結構以實現電學隔離。

從器件結構分析，該晶體管包含三個關鍵區域：采用擴散法形成的基區（base）、發射區（emitter）以及通過合金法制作的集電區（collector）。台面結構的優勢在于通過物理隔離降低了結電容，這一特性使其在20世紀50-60年代高頻應用場景中占據重要地位（IEEE Xplore，1962年晶體管技術研讨會論文集）。

其工作原理遵循雙極型晶體管的基本特性：發射結正向偏置時載流子注入，集電結反向偏置時載流子收集。擴散工藝的精确控制決定了基區寬度與摻雜濃度，這兩個參數直接影響電流放大系數β值（施敏，《半導體器件物理與工藝》第3章，2020年）。該技術為後續平面工藝晶體管的發展奠定了理論基礎，但因台面結構易受環境污染的缺陷，現已被二氧化矽鈍化技術取代。

網絡擴展解釋

“擴散高台晶體管”是一個結合了半導體工藝和結構特征的術語，需要從以下三個層面進行解釋：

晶體管的核心定義
晶體管是一種基于半導體材料（如矽、鍺）的電子器件，通過控制基極、發射極、集電極之間的電流實現信號放大、開關控制等功能。其核心結構包含PN結，利用摻雜工藝形成不同導電區域（如N型和P型半導體）。
“擴散”的工藝含義
擴散是半導體制造中的關鍵工藝，指将特定雜質（如磷、硼）通過高溫擴散注入半導體基片，形成導電區域。例如在雙極型晶體管中，基區常通過擴散工藝實現精确摻雜濃度控制。
“高台”的結構特性
高台（或稱台面結構）指通過刻蝕或沉積工藝形成的立體凸起結構。在晶體管中，這種設計可優化電場分布，降低寄生電容，提高高頻性能。例如某些功率晶體管會采用類似結構增強散熱和耐壓能力。

綜合解釋：擴散高台晶體管可能是采用擴散摻雜工藝制造，并具有立體高台結構的半導體器件。這種結合工藝與結構的設計，常用于高性能場景（如高頻放大、功率控制），以實現更優的載流子遷移效率和熱穩定性。

注：由于搜索結果未直接提及該術語，以上分析基于半導體工藝的常規技術路徑推斷。如需精準定義，建議提供更具體的上下文或技術文檔。