扩散高台晶体管英文解释翻译、扩散高台晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffused mesa transistor

分词翻译：

扩散的英语翻译：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【计】 scattering
【化】 scatter
【医】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

高的英语翻译：

high; high-priced; lofty; loud; tall
【医】 homo-; hyper-; hypsi-; hypso-; per-

台的英语翻译：

broadcasting station; dais; desk; platform; stage; support; table
【医】 table

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

扩散高台晶体管（Diffusion Mesa Transistor）是早期半导体器件的一种重要结构类型，其名称源于两个核心工艺特征：扩散掺杂技术与台面（mesa）蚀刻成型技术。该器件通过气相扩散工艺在半导体基底上形成PN结，再通过化学蚀刻形成阶梯状的台面结构以实现电学隔离。

从器件结构分析，该晶体管包含三个关键区域：采用扩散法形成的基区（base）、发射区（emitter）以及通过合金法制作的集电区（collector）。台面结构的优势在于通过物理隔离降低了结电容，这一特性使其在20世纪50-60年代高频应用场景中占据重要地位（IEEE Xplore，1962年晶体管技术研讨会论文集）。

其工作原理遵循双极型晶体管的基本特性：发射结正向偏置时载流子注入，集电结反向偏置时载流子收集。扩散工艺的精确控制决定了基区宽度与掺杂浓度，这两个参数直接影响电流放大系数β值（施敏，《半导体器件物理与工艺》第3章，2020年）。该技术为后续平面工艺晶体管的发展奠定了理论基础，但因台面结构易受环境污染的缺陷，现已被二氧化硅钝化技术取代。

网络扩展解释

“扩散高台晶体管”是一个结合了半导体工艺和结构特征的术语，需要从以下三个层面进行解释：

晶体管的核心定义
晶体管是一种基于半导体材料（如硅、锗）的电子器件，通过控制基极、发射极、集电极之间的电流实现信号放大、开关控制等功能。其核心结构包含PN结，利用掺杂工艺形成不同导电区域（如N型和P型半导体）。
“扩散”的工艺含义
扩散是半导体制造中的关键工艺，指将特定杂质（如磷、硼）通过高温扩散注入半导体基片，形成导电区域。例如在双极型晶体管中，基区常通过扩散工艺实现精确掺杂浓度控制。
“高台”的结构特性
高台（或称台面结构）指通过刻蚀或沉积工艺形成的立体凸起结构。在晶体管中，这种设计可优化电场分布，降低寄生电容，提高高频性能。例如某些功率晶体管会采用类似结构增强散热和耐压能力。

综合解释：扩散高台晶体管可能是采用扩散掺杂工艺制造，并具有立体高台结构的半导体器件。这种结合工艺与结构的设计，常用于高性能场景（如高频放大、功率控制），以实现更优的载流子迁移效率和热稳定性。

注：由于搜索结果未直接提及该术语，以上分析基于半导体工艺的常规技术路径推断。如需精准定义，建议提供更具体的上下文或技术文档。