超大規模集成電路英文解釋翻譯、超大規模集成電路的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯:
【計】 GSI; super-large-scale integration; ULSI
相關詞條:
1.VLSI 2.vlsiverylargescaleintegratedcircuit 3.super-large-scaleintegration(SLSI) 4.verylargyscaleintegration 5.grandscaleintegration(GSI) 6.vlsicircuit 7.verylarge-scaleintegration(VLSI) 8.verylargescaleintegration 9.grandscaleic 10.largescaleintegratedcircuit(LSI)
分詞翻譯:
超的英語翻譯:
exceed; go beyond; overtake
【計】 hyperactive
【醫】 per-; ultra-
大規模集成電路的英語翻譯:
【計】 large scale integrated circuit; large-scale integrated circuit
ultra LSI
專業解析
超大規模集成電路(Very Large Scale Integration,VLSI)是指單個芯片上集成超過十萬個晶體管或其他基本電子元件的半導體技術。該術語由美國工程師卡弗·米德和琳·康維在1970年代提出,标志着集成電路從中小規模向高密度集成的跨越式發展。
從技術實現角度,VLSI通過光刻、蝕刻、離子注入等工藝,在矽基材料上構建複雜的多層互連結構。其設計遵循摩爾定律,即每18-24個月晶體管數量翻倍,這一規律由英特爾聯合創始人戈登·摩爾于1965年提出,并持續指導着半導體産業發展。
應用場景涵蓋:
- 中央處理器(CPU)和圖形處理器(GPU)
- 動态隨機存儲器(DRAM)和閃存芯片
- 通信基帶芯片和射頻集成電路
- 人工智能專用加速芯片
根據《IEEE固态電路期刊》的定義,現代VLSI芯片已突破百億晶體管量級,采用7納米及以下制程技術,典型代表包括蘋果A系列處理器和英偉達H100計算卡。該技術推動着5G通信、自動駕駛和量子計算等前沿領域的發展。
網絡擴展解釋
超大規模集成電路(VLSI)是一種高度集成的電路技術,其核心是通過半導體工藝将大量晶體管集成到單一芯片上,以實現複雜功能。以下是詳細解釋:
1.定義與分類
- VLSI英文全稱為Very Large Scale Integration,其集成度介于大規模集成電路(LSI)和特大規模集成電路(ULSI)之間。
- 按晶體管數量劃分,VLSI通常指單個芯片上集成的元器件數量超過10萬至數百萬個(不同标準略有差異),而LSI的集成度一般為1000-10萬個元器件。
2.技術特征
- 尺寸與密度:VLSI芯片的矽片面積僅幾毫米見方,但可容納上百萬甚至上億個晶體管,線寬可縮小至1微米以下(現代工藝已突破0.1微米)。
- 制造工藝:通過光刻、蝕刻等技術一次性完成晶體管與連線的制作,極大降低單位晶體管的成本。
3.發展與應用
- 曆史背景:VLSI技術于20世紀70年代後期成熟,最初用于存儲器和微處理器 制造。隨着工藝進步,現代芯片(如CPU、GPU)的集成度已達數十億晶體管。
- 典型應用:計算機微處理器、高密度存儲器(如DRAM)、通信芯片等,是電子設備小型化和高性能化的基礎。
4.優勢與挑戰
- 優勢:大幅提升電子設備性能,降低功耗和體積;批量生産時硬件成本趨近于設計成本。
- 挑戰:線寬縮小導緻量子效應、散熱等問題,對制造工藝和材料提出更高要求。
若需進一步了解具體芯片類型或技術發展曆程,可參考來源網頁中的完整内容。
分類
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