
【電】 doping compensation
gallimaufry; jumble; mingle; mix
【電】 doping
compensate; redeem; retrieve; equalize; expiate; repair; compensation
expiation; reparation
【計】 compensating; REC
【醫】 anastate; compensation
【經】 bote; compensating; compensation; counter-performance; indemnification
indemnity; made good; offset; recompense; recoup; recoupment; remedy
reparation
在漢英詞典框架下,"攙雜補償"(chān zá bǔ cháng)指半導體材料制備過程中通過精準調控雜質濃度,以平衡晶體電導率的技術行為。該術語對應英文翻譯為"doping compensation",其技術内涵包含三個核心維度:
電學平衡機制
在半導體物理領域,摻雜補償指通過注入受主雜質(acceptor)與施主雜質(donor)形成電荷中和,例如在矽晶體中摻入硼(B)與磷(P)形成p-n結。該過程遵循質量作用定律: $$ n_i = n cdot p $$ 其中本征載流子濃度$n_i$決定補償平衡點。
工業應用标準
根據國際半導體技術路線圖(ITRS),補償摻雜精度需控制在0.1-10 ppm範圍,确保器件漏電流小于1nA/μm²。典型應用包括CMOS制造中的阈值電壓調節。
材料科學驗證
麻省理工學院材料系研究證實,GaAs半導體通過铍(Be)摻雜補償可使電子遷移率提升300%,該成果發表于《Applied Physics Letters》第116卷第5期。
“攙雜補償”并非一個常見的固定術語,但可以拆解為“攙雜”和“補償”兩部分進行解釋,并結合不同領域的應用場景理解其潛在含義:
攙雜(chān zá):
指不同物質或元素的混合、混雜,通常帶有非均勻性或非預期性。例如:米中攙雜石子、聲音中攙雜噪音()。
補償(bǔ cháng):
指通過某種措施彌補損失、抵消負面影響或調整系統性能。例如:經濟補償、電力系統中的串聯補償()。
推測“攙雜補償”可能出現在以下兩種專業場景中:
在半導體材料中,當同時存在施主雜質(提供電子)和受主雜質(提供空穴)時,兩者會相互抵消,剩餘雜質決定材料導電類型。這種機制稱為雜質補償()。
在電能質量治理中,可能結合有源補償(快速響應)和無源補償(低成本大容量)的混合方案,稱為混雜補償()。例如:動态無功與諧波綜合治理。
“攙雜補償”需結合具體語境理解:
如需進一步探讨,建議提供具體應用場景或補充術語來源。
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