位錯攀移英文解釋翻譯、位錯攀移的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 climb of dislocation

分詞翻譯：

位錯的英語翻譯：

【化】 dislocation; line defects; linear defects

攀的英語翻譯：

clamber; climb; shin

移的英語翻譯：

change; move; shift
【醫】 trans-

專業解析

位錯攀移 (wèi cuò pān yí) / Dislocation Climb

位錯攀移是晶體材料塑性變形中位錯運動的一種重要機制，與位錯滑移共同構成材料形變的基礎。其核心含義是指位錯在垂直于其滑移面的方向上的運動。這種運動涉及原子擴散，通常發生在高溫或低應變速率條件下，對材料的蠕變、回複和再結晶等過程至關重要。

一、定義與機制

位錯攀移的本質是刃型位錯通過吸收或釋放點缺陷（空位或間隙原子）實現垂直于滑移面的移動。

• 攀移方向：刃型位錯的半原子面通過空位擴散而擴大（正攀移）或縮小（負攀移），導緻位錯線整體垂直于滑移面移動。
• 能量驅動：受外力或熱激活作用，空位擴散至位錯核心，推動半原子面擴展或收縮。

二、與滑移的區别

三、影響因素

1. 溫度：高溫顯著促進空位擴散，加速攀移（如金屬蠕變現象）。
2. 應力狀态：正應力分量驅動半原子面收縮或擴張。
3. 晶體結構：空位形成能低的材料更易發生攀移（如面心立方金屬）。

四、實際意義

位錯攀移是高溫合金抗蠕變設計的關鍵考量。例如，渦輪葉片合金通過添加晶界強化元素（如铼、钌），抑制攀移主導的位錯運動，提升服役壽命。

參考文獻

1. Hull, D., & Bacon, D. J. (2011). Introduction to Dislocations (5th ed.). Butterworth-Heinemann. （定義與機制）
2. 馮端， 金國鈞. 《凝聚态物理學》上卷. 高等教育出版社, 2013. （晶體結構影響）
3. Courtney, T. H. (2005). Mechanical Behavior of Materials (2nd ed.). Waveland Press. （高溫蠕變應用）

網絡擴展解釋

位錯攀移是材料科學中描述晶體缺陷運動的重要概念，具體解釋如下：

一、定義

位錯攀移是指刃型位錯在垂直于其滑移面方向上的運動。這種運動通過空位或原子的擴散實現，導緻位錯線所在的多餘半原子面發生伸長或縮短。

二、機制與特點

1. 擴散依賴性
   攀移需要原子或空位的擴散，屬于非保守運動（伴隨物質遷移），通常發生在高溫或高應力條件下。
2. 方向與類型
   • 正攀移：半原子面縮小，空位遷移到位錯線下方或原子離開位錯線。
   • 負攀移：半原子面擴大，原子遷移到位錯線下方。
3. 運動形式
   攀移以逐段方式進行，過程中位錯線可能形成割階（jog）。

三、影響因素

• 溫度：高溫促進原子擴散，更易發生攀移。
• 應力類型：正應力分量（如拉/壓應力）是主要驅動力。
• 位錯類型：僅刃型位錯和混合位錯可攀移，螺位錯無法攀移（無半原子面）。

四、與滑移的區别

五、實際意義

攀移在材料高溫變形（如蠕變）和回複過程中起關鍵作用。例如，金屬退火時，攀移幫助位錯重組，降低晶體缺陷密度。

注：如需進一步了解攀移的動力學模型或具體應用場景，中的實驗研究及理論分析。

分類

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