位错攀移英文解释翻译、位错攀移的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 climb of dislocation

分词翻译：

位错的英语翻译：

【化】 dislocation; line defects; linear defects

攀的英语翻译：

clamber; climb; shin

移的英语翻译：

change; move; shift
【医】 trans-

专业解析

位错攀移 (wèi cuò pān yí) / Dislocation Climb

位错攀移是晶体材料塑性变形中位错运动的一种重要机制，与位错滑移共同构成材料形变的基础。其核心含义是指位错在垂直于其滑移面的方向上的运动。这种运动涉及原子扩散，通常发生在高温或低应变速率条件下，对材料的蠕变、回复和再结晶等过程至关重要。

一、定义与机制

位错攀移的本质是刃型位错通过吸收或释放点缺陷（空位或间隙原子）实现垂直于滑移面的移动。

• 攀移方向：刃型位错的半原子面通过空位扩散而扩大（正攀移）或缩小（负攀移），导致位错线整体垂直于滑移面移动。
• 能量驱动：受外力或热激活作用，空位扩散至位错核心，推动半原子面扩展或收缩。

二、与滑移的区别

三、影响因素

1. 温度：高温显著促进空位扩散，加速攀移（如金属蠕变现象）。
2. 应力状态：正应力分量驱动半原子面收缩或扩张。
3. 晶体结构：空位形成能低的材料更易发生攀移（如面心立方金属）。

四、实际意义

位错攀移是高温合金抗蠕变设计的关键考量。例如，涡轮叶片合金通过添加晶界强化元素（如铼、钌），抑制攀移主导的位错运动，提升服役寿命。

参考文献

1. Hull, D., & Bacon, D. J. (2011). Introduction to Dislocations (5th ed.). Butterworth-Heinemann. （定义与机制）
2. 冯端， 金国钧. 《凝聚态物理学》上卷. 高等教育出版社, 2013. （晶体结构影响）
3. Courtney, T. H. (2005). Mechanical Behavior of Materials (2nd ed.). Waveland Press. （高温蠕变应用）

网络扩展解释

位错攀移是材料科学中描述晶体缺陷运动的重要概念，具体解释如下：

一、定义

位错攀移是指刃型位错在垂直于其滑移面方向上的运动。这种运动通过空位或原子的扩散实现，导致位错线所在的多余半原子面发生伸长或缩短。

二、机制与特点

1. 扩散依赖性
   攀移需要原子或空位的扩散，属于非保守运动（伴随物质迁移），通常发生在高温或高应力条件下。
2. 方向与类型
   • 正攀移：半原子面缩小，空位迁移到位错线下方或原子离开位错线。
   • 负攀移：半原子面扩大，原子迁移到位错线下方。
3. 运动形式
   攀移以逐段方式进行，过程中位错线可能形成割阶（jog）。

三、影响因素

• 温度：高温促进原子扩散，更易发生攀移。
• 应力类型：正应力分量（如拉/压应力）是主要驱动力。
• 位错类型：仅刃型位错和混合位错可攀移，螺位错无法攀移（无半原子面）。

四、与滑移的区别

五、实际意义

攀移在材料高温变形（如蠕变）和回复过程中起关键作用。例如，金属退火时，攀移帮助位错重组，降低晶体缺陷密度。

注：如需进一步了解攀移的动力学模型或具体应用场景，中的实验研究及理论分析。

分类

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏览...

【别人正在浏览】