外延層英文解釋翻譯、外延層的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 epitaxial layer

分詞翻譯：

外延的英語翻譯：

extension
【計】 epitaxy

層的英語翻譯：

layer; region; stage; story; stratum; tier
【計】 layer
【醫】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

專業解析

在電子工程與半導體領域，"外延層"（Epitaxial Layer）指通過外延生長技術在單晶襯底上沉積的、具有特定晶格取向的單晶薄膜層。其核心特征是與襯底晶體結構高度匹配，确保低缺陷密度和優異的電學性能。

一、漢英定義解析

1. 中文術語：外延層

   • 定義：在單晶襯底上沿特定結晶方向生長的單晶薄膜層，用于優化半導體器件的電學特性。
   • 技術原理：通過化學氣相沉積（CVD）或分子束外延（MBE）等方法，在襯底表面逐層原子級沉積，形成晶格匹配的新單晶層。

2. 英文對應術語：Epitaxial Layer (Epi Layer)

   • 定義：A crystalline layer grown on a substrate where the atomic arrangement is aligned with the substrate's crystal structure, critical for high-performance devices like MOSFETs and LEDs。

二、核心功能與技術價值

• 載流子調控：通過控制摻雜濃度（如P型/N型），調節導電性能（來源：IEEE Electron Device Letters）。
• 應力工程：利用晶格失配引入應變，提升載流子遷移率（例：SiGe外延層增強CMOS速度）。
• 隔離作用：在功率器件中，高阻外延層降低漏電流（參考：功率半導體器件設計手冊）。

三、典型應用場景

1. 集成電路：矽外延層用于降低CMOS電路的闩鎖效應（Latch-up）。
2. 光電器件：GaAs/AlGaAs外延層構成激光器的量子阱結構（來源：化合物半導體技術期刊）。
3. 功率器件：SiC外延層支撐高壓、高溫器件開發（例：電動汽車逆變器模塊）。

權威參考文獻

1. 半導體工藝基礎（清華大學出版社），第7章外延生長技術。
2. IEEE标準術語庫：IEEE 100, The Authoritative Dictionary of IEEE Standards Terms。
3. 應用物理評論：Epitaxial Growth for Emerging Materials (APL Materials, 2023)。

注：引用來源基于公開學術文獻及行業标準，具體鍊接需根據實際出版物DOI或權威機構官網獲取。

網絡擴展解釋

外延層是半導體制造中的核心概念，指在單晶襯底上通過外延生長技術形成的薄層單晶材料。以下是詳細解釋：

1.基本定義

外延層（Epitaxial Layer）是通過化學或物理方法在晶體襯底表面規則排列生長的單晶層，其晶體結構與襯底保持一緻。例如，在矽襯底上生長矽外延層時，新層會複制襯底的晶格方向，形成連續的晶體結構。

2.結構與特性

• 厚度：通常為微米級别，遠薄于襯底。
• 材料關系：若外延層與襯底材料相同（如矽/矽），稱為同質外延；若不同（如藍寶石襯底上生長氮化镓），則為異質外延。
• 摻雜控制：外延層可獨立控制雜質類型和濃度，與襯底摻雜無關，例如在矽外延中實現輕摻雜以優化電學性能。

3.作用與優勢

• 缺陷減少：外延層表面無抛光微缺陷，晶格完整性高，適合精密器件制造。
• 性能優化：通過調節摻雜，可降低寄生電容、提高擊穿電壓（如晶體管集電結）或降低導通電阻。
• 功能擴展：在異質外延中，可結合不同材料的特性（如藍寶石襯底+PSS處理），提升光參數或結合力。

4.應用場景

主要用于集成電路、光電子器件（如LED、激光二極管）等領域。例如，外延片通過襯底重摻雜和外延層輕摻雜的組合，實現高性能半導體器件。

參考資料

• 定義與分類：、
• 結構與摻雜：、
• 性能優勢：、

分類

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