外延层英文解释翻译、外延层的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 epitaxial layer

分词翻译：

外延的英语翻译：

extension
【计】 epitaxy

层的英语翻译：

layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

专业解析

在电子工程与半导体领域，"外延层"（Epitaxial Layer）指通过外延生长技术在单晶衬底上沉积的、具有特定晶格取向的单晶薄膜层。其核心特征是与衬底晶体结构高度匹配，确保低缺陷密度和优异的电学性能。

一、汉英定义解析

1. 中文术语：外延层

   • 定义：在单晶衬底上沿特定结晶方向生长的单晶薄膜层，用于优化半导体器件的电学特性。
   • 技术原理：通过化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等方法，在衬底表面逐层原子级沉积，形成晶格匹配的新单晶层。

2. 英文对应术语：Epitaxial Layer (Epi Layer)

   • 定义：A crystalline layer grown on a substrate where the atomic arrangement is aligned with the substrate's crystal structure, critical for high-performance devices like MOSFETs and LEDs。

二、核心功能与技术价值

• 载流子调控：通过控制掺杂浓度（如P型/N型），调节导电性能（来源：IEEE Electron Device Letters）。
• 应力工程：利用晶格失配引入应变，提升载流子迁移率（例：SiGe外延层增强CMOS速度）。
• 隔离作用：在功率器件中，高阻外延层降低漏电流（参考：功率半导体器件设计手册）。

三、典型应用场景

1. 集成电路：硅外延层用于降低CMOS电路的闩锁效应（Latch-up）。
2. 光电器件：GaAs/AlGaAs外延层构成激光器的量子阱结构（来源：化合物半导体技术期刊）。
3. 功率器件：SiC外延层支撑高压、高温器件开发（例：电动汽车逆变器模块）。

权威参考文献

1. 半导体工艺基础（清华大学出版社），第7章外延生长技术。
2. IEEE标准术语库：IEEE 100, The Authoritative Dictionary of IEEE Standards Terms。
3. 应用物理评论：Epitaxial Growth for Emerging Materials (APL Materials, 2023)。

注：引用来源基于公开学术文献及行业标准，具体链接需根据实际出版物DOI或权威机构官网获取。

网络扩展解释

外延层是半导体制造中的核心概念，指在单晶衬底上通过外延生长技术形成的薄层单晶材料。以下是详细解释：

1.基本定义

外延层（Epitaxial Layer）是通过化学或物理方法在晶体衬底表面规则排列生长的单晶层，其晶体结构与衬底保持一致。例如，在硅衬底上生长硅外延层时，新层会复制衬底的晶格方向，形成连续的晶体结构。

2.结构与特性

• 厚度：通常为微米级别，远薄于衬底。
• 材料关系：若外延层与衬底材料相同（如硅/硅），称为同质外延；若不同（如蓝宝石衬底上生长氮化镓），则为异质外延。
• 掺杂控制：外延层可独立控制杂质类型和浓度，与衬底掺杂无关，例如在硅外延中实现轻掺杂以优化电学性能。

3.作用与优势

• 缺陷减少：外延层表面无抛光微缺陷，晶格完整性高，适合精密器件制造。
• 性能优化：通过调节掺杂，可降低寄生电容、提高击穿电压（如晶体管集电结）或降低导通电阻。
• 功能扩展：在异质外延中，可结合不同材料的特性（如蓝宝石衬底+PSS处理），提升光参数或结合力。

4.应用场景

主要用于集成电路、光电子器件（如LED、激光二极管）等领域。例如，外延片通过衬底重掺杂和外延层轻掺杂的组合，实现高性能半导体器件。

参考资料

• 定义与分类：、
• 结构与掺杂：、
• 性能优势：、

分类

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