射極電壓英文解釋翻譯、射極電壓的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 emitter voltage

【電】 emitter

tension; voltage
【化】 voltage
【醫】 electric tension; voltage

射極電壓 (Emitter Voltage)

在電子工程領域，"射極電壓"指雙極結型晶體管（BJT）中發射極（Emitter）相對于電路參考點（通常為地）的電位差，記為 ( V_E ) 或 ( V_text{emitter} )。其物理意義和電路作用如下：

中文：射極電壓（發射極電壓）
英文：Emitter Voltage
核心解釋：在BJT的發射結（基極-發射極）正向偏置時，射極電壓直接影響晶體管的工作狀态（放大、飽和或截止）。其值由基極電流 ( I_B ) 和發射極電阻 ( R_E ) 共同決定，典型關系為 ( V_E = I_E times R_E )（其中 ( I_E ) 為發射極電流）。

穩定靜态工作點：射極電阻 ( R_E ) 通過負反饋機制抑制溫度漂移。例如，當溫度升高導緻 ( I_E ) 增大時，( VE ) 升高，進而降低基極-發射極電壓 ( V{BE} )，使 ( I_E ) 回落，維持工作點穩定（來源：Paul Horowitz, The Art of Electronics, 3rd Edition）。
放大電路設計：在共發射極放大器中，( V_E ) 需設置為電源電壓的10%-20%，以避免信號失真并确保線性放大（來源：Robert Boylestad, Electronic Devices and Circuit Theory, 第11版）。

恒流源電路：通過固定 ( V_E ) 控制發射極電流，實現穩定輸出（如LED驅動電路）。
差分放大器：對稱晶體管的射極電壓匹配對共模抑制比（CMRR）至關重要（來源：Microelectronic Circuits by Sedra/Smith）。

參考來源：

Horowitz, P., & Hill, W. (2015). The Art of Electronics. Cambridge University Press.
Boylestad, R., & Nashelsky, L. (2012). Electronic Devices and Circuit Theory. Pearson.
IEEE Standards Association. (2020). Guide for Semiconductor Device Testing.
Sedra, A., & Smith, K. (2015). Microelectronic Circuits. Oxford University Press.

射極電壓是電子電路中晶體管相關的重要參數，具體解釋如下：

基本定義
射極電壓（Emitter Voltage）指晶體管發射極與公共參考端（通常是“地”）之間的電位差。例如在NPN型晶體管中，發射極通常接地或通過電阻接地，此時射極電壓即為發射極對地的電壓值。
與基極電壓的區分
需注意射極電壓不同于基極-發射極電壓（V_BE）。後者是基極與發射極之間的電壓差，而射極電壓僅以公共地為參考點。例如在共射極放大電路中，基極輸入信號會引起射極電壓的微小變化。
晶體管類型的影響
- NPN型：發射極通常接低電位（如地或電阻），基極電壓升高會導緻射極電壓相應升高。
- PNP型：發射極接高電位（如正電源），基極電壓變化會使射極與電源的電位差更顯著。
作用與應用
射極電壓直接影響晶體管的工作狀态。在放大電路中，通過調節射極電阻可控制放大倍數；在開關電路中，射極電壓變化決定晶體管的導通與截止。
英文對應與擴展
射極電壓的英文為emitter voltage。相關術語如集電極-發射極電壓（V_CE）常用于描述晶體管飽和或截止狀态的條件。

提示：實際電路中需結合晶體管型號（如NPN/PNP）、偏置電壓（如提到的基極偏壓）綜合分析射極電壓的具體表現。對于更複雜的電路設計，建議參考權威電子工程手冊或仿真工具驗證參數。