射极电压英文解释翻译、射极电压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 emitter voltage

【电】 emitter

tension; voltage
【化】 voltage
【医】 electric tension; voltage

射极电压 (Emitter Voltage)

在电子工程领域，"射极电压"指双极结型晶体管（BJT）中发射极（Emitter）相对于电路参考点（通常为地）的电位差，记为 ( V_E ) 或 ( V_text{emitter} )。其物理意义和电路作用如下：

中文：射极电压（发射极电压）
英文：Emitter Voltage
核心解释：在BJT的发射结（基极-发射极）正向偏置时，射极电压直接影响晶体管的工作状态（放大、饱和或截止）。其值由基极电流 ( I_B ) 和发射极电阻 ( R_E ) 共同决定，典型关系为 ( V_E = I_E times R_E )（其中 ( I_E ) 为发射极电流）。

稳定静态工作点：射极电阻 ( R_E ) 通过负反馈机制抑制温度漂移。例如，当温度升高导致 ( I_E ) 增大时，( VE ) 升高，进而降低基极-发射极电压 ( V{BE} )，使 ( I_E ) 回落，维持工作点稳定（来源：Paul Horowitz, The Art of Electronics, 3rd Edition）。
放大电路设计：在共发射极放大器中，( V_E ) 需设置为电源电压的10%-20%，以避免信号失真并确保线性放大（来源：Robert Boylestad, Electronic Devices and Circuit Theory, 第11版）。

恒流源电路：通过固定 ( V_E ) 控制发射极电流，实现稳定输出（如LED驱动电路）。
差分放大器：对称晶体管的射极电压匹配对共模抑制比（CMRR）至关重要（来源：Microelectronic Circuits by Sedra/Smith）。

参考来源：

Horowitz, P., & Hill, W. (2015). The Art of Electronics. Cambridge University Press.
Boylestad, R., & Nashelsky, L. (2012). Electronic Devices and Circuit Theory. Pearson.
IEEE Standards Association. (2020). Guide for Semiconductor Device Testing.
Sedra, A., & Smith, K. (2015). Microelectronic Circuits. Oxford University Press.

射极电压是电子电路中晶体管相关的重要参数，具体解释如下：

基本定义
射极电压（Emitter Voltage）指晶体管发射极与公共参考端（通常是“地”）之间的电位差。例如在NPN型晶体管中，发射极通常接地或通过电阻接地，此时射极电压即为发射极对地的电压值。
与基极电压的区分
需注意射极电压不同于基极-发射极电压（V_BE）。后者是基极与发射极之间的电压差，而射极电压仅以公共地为参考点。例如在共射极放大电路中，基极输入信号会引起射极电压的微小变化。
晶体管类型的影响
- NPN型：发射极通常接低电位（如地或电阻），基极电压升高会导致射极电压相应升高。
- PNP型：发射极接高电位（如正电源），基极电压变化会使射极与电源的电位差更显著。
作用与应用
射极电压直接影响晶体管的工作状态。在放大电路中，通过调节射极电阻可控制放大倍数；在开关电路中，射极电压变化决定晶体管的导通与截止。
英文对应与扩展
射极电压的英文为emitter voltage。相关术语如集电极-发射极电压（V_CE）常用于描述晶体管饱和或截止状态的条件。

提示：实际电路中需结合晶体管型号（如NPN/PNP）、偏置电压（如提到的基极偏压）综合分析射极电压的具体表现。对于更复杂的电路设计，建议参考权威电子工程手册或仿真工具验证参数。