栅漏英文解釋翻譯、栅漏的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 grid leak

分詞翻譯：

栅的英語翻譯：

bar

漏的英語翻譯：

leak; leave out; seep; spillage; water clock
【機】 leak; leakage; leaking

專業解析

在電子工程領域，"栅漏"（Gate Leakage）指場效應晶體管中栅極與溝道之間的非理想電流洩漏現象。該術語對應的英文翻譯為"gate leakage current"，定義為當栅極施加電壓時，由于量子隧穿效應或介質層缺陷導緻的絕緣層（如SiO₂或高k介質）電荷穿越現象。

根據IEEE Electron Device Letters的權威研究，栅漏電流隨晶體管尺寸縮小呈指數級增長，成為納米級CMOS器件面臨的關鍵挑戰之一。這種現象會導緻靜态功耗增加和器件可靠性下降，特别是在45納米以下工藝節點中尤為顯著。

半導體物理機制顯示，栅漏主要由以下因素驅動：

直接隧穿效應（Direct tunneling）：當栅介質厚度小于3nm時，電子穿越勢壘的概率顯著提升
陷阱輔助隧穿（Trap-assisted tunneling）：介質層中的缺陷形成導電通道
熱載流子注入（Hot carrier injection）：高電場加速載流子穿越勢壘

該現象對集成電路設計産生重大影響，包括功耗管理策略調整、栅介質材料革新（如采用HfO₂代替SiO₂）以及電路架構優化。國際半導體技術路線圖（ITRS）将其列為延續摩爾定律的主要障礙之一。

參考文獻：陳星弼, 半導體器件物理基礎, 科學出版社 Frank Schwierz, "Nanoscale CMOS", Proceedings of the IEEE Chenming Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits

網絡擴展解釋

“栅漏”是一個電子工程領域的專業術語，通常與晶體管、場效應管（FET）等半導體器件相關。以下是其核心含義和常見應用場景的解釋：

基本概念
- 栅極與漏極：在MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）中，“栅極”是控制電流的電極，“漏極”是電流輸出的電極。
- 栅漏：一般指栅極與漏極之間的電學特性，如電流、電容或絕緣性能。
常見解釋方向
- 栅漏電流（Leakage Current）：當栅極電壓關閉時，漏極仍存在的微小電流。這種漏電會降低器件能效，尤其影響低功耗芯片設計。
- 栅漏電容（Gate-Drain Capacitance）：栅極與漏極之間的寄生電容，可能導緻高頻信號反饋，影響放大器穩定性。計算公式為： $$ C_{gd} = frac{epsilon A}{d} $$ 其中$epsilon$為介電常數，$A$為極闆面積，$d$為間距。
- 栅漏擊穿：栅極與漏極間絕緣層失效導緻的短路，常見于過壓或高溫環境。
工程應用中的影響
- 高頻電路設計中需通過“米勒效應”補償栅漏電容。
- 芯片制程中，栅氧化層變薄會加劇漏電流，需采用高K介質材料優化。

若需進一步分析具體場景（如某類器件的參數或故障排查），建議補充上下文信息。