擴散程式英文解釋翻譯、擴散程式的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffusion process

分詞翻譯：

擴散的英語翻譯：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

程式的英語翻譯：

formality; ground rule; procedure; proceeding; process; program
【計】 P; problem determination aid; PROC; program; related channel program
【化】 sequence
【經】 program; sequence

專業解析

在漢英詞典中，“擴散程式”對應的英文術語為diffusion procedure，指物質或信息通過特定機制實現空間分布或傳遞的系統化操作流程。該概念廣泛應用于物理學、化學、計算機科學及社會學領域，其核心是通過可控步驟實現粒子、能量或數據的定向傳播。

從技術定義分析，擴散程式包含三個關鍵要素：（1）傳輸介質，如氣體分子在空氣中的運動；（2）濃度梯度驅動，遵循菲克定律（Fick's laws）的數學表達： $$ J = -D frac{partial phi}{partial x} $$ 其中$J$為擴散通量，$D$為擴散系數；（3）邊界條件控制，包括封閉系統與開放系統的不同操作規範。

牛津大學出版社《科林斯英漢雙解詞典》将其定義為“通過預設算法完成信息傳遞路徑優化的計算模型”，常見于神經網絡參數更新和熱力學模拟系統。美國國家标準技術研究院(NIST)在《計算科學術語标準》中強調，程式有效性取決于擴散系數的精準測量和疊代次數的優化配置。

網絡擴展解釋

“擴散程式”在不同領域有不同解釋，以下是綜合各領域信息的詳細說明：

一、半導體制造領域的核心含義

在半導體工藝中，擴散程式（Diffusion Process）指通過高溫将摻雜物（如磷、硼、砷）引入矽晶圓，調整材料導電性的關鍵步驟。其作用機理是：摻雜物原子在高溫下從高濃度區域向低濃度區域擴散，穿過矽晶格形成特定電學特性區域（如PN結）。

二、技術原理與步驟

物理基礎
遵循菲克擴散定律，擴散速率與濃度梯度成正比，公式表達為： $$ J = -D frac{partial C}{partial x} $$ 其中$J$是擴散通量，$D$為擴散系數，$partial C/partial x$是濃度梯度。
工藝流程
- 預沉積：在矽表面形成高濃度摻雜物層
- 驅入擴散：高溫（約1000-1200℃）下使摻雜物向矽内部擴散
- 氧化：同步生成二氧化矽保護層

三、主要應用場景

晶體管制造：形成基區、發射區等摻雜區域
二極管制備：創建P型和N型半導體接觸面
電阻調節：通過摻雜濃度控制材料電阻率

四、相關參數影響

參數	影響效果	典型範圍
溫度	每升高100℃，擴散速率增10倍	900-1200℃
時間	決定結深（約與時間平方根成正比）	數十分鐘至數小時
摻雜源類型	決定導電類型（磷→N型，硼→P型）	液态/氣态化合物

注：如需完整工藝參數表，可參考來源網頁獲取技術文檔。