栅漏英文解释翻译、栅漏的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 grid leak

分词翻译：

栅的英语翻译：

bar

漏的英语翻译：

leak; leave out; seep; spillage; water clock
【机】 leak; leakage; leaking

专业解析

在电子工程领域，"栅漏"（Gate Leakage）指场效应晶体管中栅极与沟道之间的非理想电流泄漏现象。该术语对应的英文翻译为"gate leakage current"，定义为当栅极施加电压时，由于量子隧穿效应或介质层缺陷导致的绝缘层（如SiO₂或高k介质）电荷穿越现象。

根据IEEE Electron Device Letters的权威研究，栅漏电流随晶体管尺寸缩小呈指数级增长，成为纳米级CMOS器件面临的关键挑战之一。这种现象会导致静态功耗增加和器件可靠性下降，特别是在45纳米以下工艺节点中尤为显著。

半导体物理机制显示，栅漏主要由以下因素驱动：

直接隧穿效应（Direct tunneling）：当栅介质厚度小于3nm时，电子穿越势垒的概率显著提升
陷阱辅助隧穿（Trap-assisted tunneling）：介质层中的缺陷形成导电通道
热载流子注入（Hot carrier injection）：高电场加速载流子穿越势垒

该现象对集成电路设计产生重大影响，包括功耗管理策略调整、栅介质材料革新（如采用HfO₂代替SiO₂）以及电路架构优化。国际半导体技术路线图（ITRS）将其列为延续摩尔定律的主要障碍之一。

参考文献：陈星弼, 半导体器件物理基础, 科学出版社 Frank Schwierz, "Nanoscale CMOS", Proceedings of the IEEE Chenming Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits

网络扩展解释

“栅漏”是一个电子工程领域的专业术语，通常与晶体管、场效应管（FET）等半导体器件相关。以下是其核心含义和常见应用场景的解释：

基本概念
- 栅极与漏极：在MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）中，“栅极”是控制电流的电极，“漏极”是电流输出的电极。
- 栅漏：一般指栅极与漏极之间的电学特性，如电流、电容或绝缘性能。
常见解释方向
- 栅漏电流（Leakage Current）：当栅极电压关闭时，漏极仍存在的微小电流。这种漏电会降低器件能效，尤其影响低功耗芯片设计。
- 栅漏电容（Gate-Drain Capacitance）：栅极与漏极之间的寄生电容，可能导致高频信号反馈，影响放大器稳定性。计算公式为： $$ C_{gd} = frac{epsilon A}{d} $$ 其中$epsilon$为介电常数，$A$为极板面积，$d$为间距。
- 栅漏击穿：栅极与漏极间绝缘层失效导致的短路，常见于过压或高温环境。
工程应用中的影响
- 高频电路设计中需通过“米勒效应”补偿栅漏电容。
- 芯片制程中，栅氧化层变薄会加剧漏电流，需采用高K介质材料优化。

若需进一步分析具体场景（如某类器件的参数或故障排查），建议补充上下文信息。