栅壓英文解釋翻譯、栅壓的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid voltage

分詞翻譯：

壓的英語翻譯：

intimidate; keep under control; press; push down; shelve; suppress
【醫】 prelum; pressure

專業解析

在電子工程領域，"栅壓"對應的英文術語為"gate voltage"或"gate bias"，指施加在場效應晶體管（FET）栅極與源極之間的控制電壓。作為半導體器件的核心參數，栅壓通過調節導電溝道的載流子密度，控制源漏極間的電流導通特性。

根據《IEEE電子器件術語标準》（IEEE Std 100-2024），栅壓的數學表達式可表示為： $$ V_{GS} = V_G - V_S $$ 其中$V_G$為栅極電位，$VS$為源極電位。當栅壓超過阈值電壓$V{th}$時，MOSFET開始形成反型層，器件進入導通狀态。該特性被廣泛應用于放大器偏置、開關電路設計和模拟信號處理領域。

清華大學微電子研究所的《半導體器件物理》教材指出，現代FinFET器件中栅壓的精确控制已成為實現亞10納米工藝的關鍵技術。通過高介電常數栅介質材料和金屬栅電極的協同優化，可顯著提升栅壓對溝道電場的調控效率。

網絡擴展解釋

栅壓（Grid Voltage）是電子管或場效應管等器件中栅極所需的工作電壓，直接影響器件的工作狀态和放大性能。以下是詳細解釋：

1.基本定義

栅壓指施加在電子管或場效應管栅極與陰極（或源極）之間的電壓，用于控制電子流或載流子的導通與截止。在電子管中，栅壓常被稱為“栅偏壓”。

2.電子管中的栅壓特點

作用機制：栅壓通過調節電子管栅極的負電壓（或正電壓），控制從陰極流向屏極的電子流。較小的栅壓變化即可引起屏極電流顯著變化，從而實現信號放大。
典型數值：常見電子管栅壓為負值（如-0.6V至-10V），但右特性電子管（如某些發射管）需正偏壓。
供電方式：
- 自給偏壓：通過陰極電阻産生負偏壓，無需獨立電源，但穩定性較低。
- 固定偏壓：由獨立電源提供，穩定性高，常用于高保真放大器。

3.場效應管中的栅壓

場效應管（如MOSFET）的栅壓通過電場效應控制源漏極間電流。其栅壓極性取決于器件類型（N溝道或P溝道），通常需與阈值電壓匹配以實現導通。

4.應用中的注意事項

穩定性要求：栅壓波動會導緻工作點漂移，影響放大性能，需通過穩壓電路或低噪聲電源保障穩定性。
信噪比影響：栅壓供電電路的噪聲會被放大，需采用濾波或屏蔽措施。

栅壓是電子器件控制核心參數，其數值和穩定性直接影響放大效率與信號質量。實際應用中需根據器件類型（電子管/場效應管）及電路需求選擇合適供電方式。