栅压英文解释翻译、栅压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 grid voltage

分词翻译：

压的英语翻译：

intimidate; keep under control; press; push down; shelve; suppress
【医】 prelum; pressure

专业解析

在电子工程领域，"栅压"对应的英文术语为"gate voltage"或"gate bias"，指施加在场效应晶体管（FET）栅极与源极之间的控制电压。作为半导体器件的核心参数，栅压通过调节导电沟道的载流子密度，控制源漏极间的电流导通特性。

根据《IEEE电子器件术语标准》（IEEE Std 100-2024），栅压的数学表达式可表示为： $$ V_{GS} = V_G - V_S $$ 其中$V_G$为栅极电位，$VS$为源极电位。当栅压超过阈值电压$V{th}$时，MOSFET开始形成反型层，器件进入导通状态。该特性被广泛应用于放大器偏置、开关电路设计和模拟信号处理领域。

清华大学微电子研究所的《半导体器件物理》教材指出，现代FinFET器件中栅压的精确控制已成为实现亚10纳米工艺的关键技术。通过高介电常数栅介质材料和金属栅电极的协同优化，可显著提升栅压对沟道电场的调控效率。

网络扩展解释

栅压（Grid Voltage）是电子管或场效应管等器件中栅极所需的工作电压，直接影响器件的工作状态和放大性能。以下是详细解释：

1.基本定义

栅压指施加在电子管或场效应管栅极与阴极（或源极）之间的电压，用于控制电子流或载流子的导通与截止。在电子管中，栅压常被称为“栅偏压”。

2.电子管中的栅压特点

作用机制：栅压通过调节电子管栅极的负电压（或正电压），控制从阴极流向屏极的电子流。较小的栅压变化即可引起屏极电流显著变化，从而实现信号放大。
典型数值：常见电子管栅压为负值（如-0.6V至-10V），但右特性电子管（如某些发射管）需正偏压。
供电方式：
- 自给偏压：通过阴极电阻产生负偏压，无需独立电源，但稳定性较低。
- 固定偏压：由独立电源提供，稳定性高，常用于高保真放大器。

3.场效应管中的栅压

场效应管（如MOSFET）的栅压通过电场效应控制源漏极间电流。其栅压极性取决于器件类型（N沟道或P沟道），通常需与阈值电压匹配以实现导通。

4.应用中的注意事项

稳定性要求：栅压波动会导致工作点漂移，影响放大性能，需通过稳压电路或低噪声电源保障稳定性。
信噪比影响：栅压供电电路的噪声会被放大，需采用滤波或屏蔽措施。

栅压是电子器件控制核心参数，其数值和稳定性直接影响放大效率与信号质量。实际应用中需根据器件类型（电子管/场效应管）及电路需求选择合适供电方式。