栅極複位作用英文解釋翻譯、栅極複位作用的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid clamping

分詞翻譯：

栅極的英語翻譯：

grid
【化】 grid

複位的英語翻譯：

reposition; restoration
【計】 R; RS; RST; unset
【化】 reset
【醫】 reduce; replacement; restoration; retroposition
【經】 reset

作用的英語翻譯：

affect; effect; intention; action; motive; operation
【醫】 action; effect; process; role
【經】 role

專業解析

栅極複位作用（Gate Reset Function）

在半導體器件（如MOSFET、CCD圖像傳感器等）中，“栅極複位作用”指通過控制栅極電壓（Gate Voltage）将器件狀态強制恢複到初始預設值的操作。其英文對應術語為"Gate Reset Function" 或"Reset Operation via Gate Control"。該功能的核心是通過栅極電位的瞬态變化，洩放或重新分布溝道内的電荷，以消除前一狀态殘留的電荷影響，确保器件每次工作周期從一緻的電學起點開始。

物理機制與工作流程

電荷洩放階段
施加反向或零偏置栅極電壓（例如，MOSFET中令 ( V_G = 0 , text{V} )），使溝道載流子（電子或空穴）通過襯底或源/漏極路徑快速導出，清空導電溝道。在CCD傳感器中，複位栅（Reset Gate）通過高電平脈沖将感光節點電荷重置至參考電位。
電勢複位
複位後栅極電壓恢複至工作阈值（如 ( VG = V{text{th}} )），重建表面勢阱，為下一次信號注入或電荷存儲做準備。此過程需在納秒級時間内完成，以適配高速電路需求。

核心應用場景

動态隨機存儲器（DRAM）：通過字線（Word Line，栅極等效結構）控制存儲電容的周期性電荷刷新，防止數據因電荷洩漏丢失。
圖像傳感器（CCD/CMOS）：複位栅清除像素節點殘留電荷，避免“滞後效應”（Image Lag），提升畫面信噪比。
功率開關器件：關斷周期内強制複位栅壓，避免誤觸發并降低開關損耗。

技術意義

栅極複位是消除器件“曆史效應”的關鍵操作，直接影響系統精度與可靠性。例如：

在ADC（模數轉換器）中，複位精度決定采樣線性度；
在量子計算超導電路中，栅控複位可初始化量子比特狀态。

權威參考來源

《半導體器件物理》（施敏, 伍國珏著）：闡釋MOSFET栅極電荷控制原理（Chapter 6: MOS Field-Effect Transistors）。
IEEE論文："Analysis of Reset Noise in CCD Image Sensors" (IEEE Transactions on Electron Devices, DOI: 10.1109/TED.2003.813462)。
國際半導體技術路線圖（ITRS）：定義納米級器件複位時序規範（2015 Edition, Process Integration, Devices, and Structures）。
安森美半導體應用筆記："Fundamentals of MOSFET Reset Circuits"（文檔編號 AND9135）。

網絡擴展解釋

栅極的“複位作用”通常指在特定電子器件中，通過調節栅極電壓或信號，使電路或器件恢複到初始狀态的功能。以下是結合相關資料的詳細解釋：

1.栅極的基本定義

栅極是場效應晶體管（如MOS管）中的控制電極，主要功能是通過電壓調節電流通斷。例如：

在MOS管中，栅極（G）與源極（S）、漏極（D）構成三個電極，栅極電壓的變化直接影響源漏極之間的導電性。

2.複位作用的具體表現

在電路設計中，栅極複位作用常見于以下場景：

存儲器複位：如動态隨機存儲器（DRAM）中，通過改變栅極電壓來清除存儲單元的電荷，實現數據重置。
邏輯電路初始化：某些數字電路通過栅極信號控制邏輯門的初始狀态，确保電路啟動時處于預設條件。
電荷釋放：在傳感器或電容性器件中，栅極的高阻态或反向電壓可釋放積累電荷，避免誤觸發。

3.實現原理

栅極複位依賴其電場效應：
當栅極施加特定電壓（如低電平或負壓）時，場效應晶體管的導電通道關閉，阻斷電流，從而切斷原有狀态；恢複初始電壓後，電路回到默認模式。

4.實際應用舉例

MOS管複位電路：通過控制栅極的充放電時間，生成複位脈沖信號，用于微控制器上電複位。
圖像傳感器：CCD/CMOS中，栅極複位用于清除像素單元的光生電荷，準備下一次曝光。

栅極複位作用本質是通過電壓調控實現電子器件的狀态重置，其核心依賴于栅極對電流的精準控制能力。如需更專業的電路設計案例，可參考半導體器件手冊或集成電路原理資料。