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栅极复位作用英文解释翻译、栅极复位作用的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【电】 grid clamping

分词翻译:

栅极的英语翻译:

grid
【化】 grid

复位的英语翻译:

reposition; restoration
【计】 R; RS; RST; unset
【化】 reset
【医】 reduce; replacement; restoration; retroposition
【经】 reset

作用的英语翻译:

affect; effect; intention; action; motive; operation
【医】 action; effect; process; role
【经】 role

专业解析

栅极复位作用(Gate Reset Function)

在半导体器件(如MOSFET、CCD图像传感器等)中,“栅极复位作用”指通过控制栅极电压(Gate Voltage)将器件状态强制恢复到初始预设值的操作。其英文对应术语为"Gate Reset Function" 或"Reset Operation via Gate Control"。该功能的核心是通过栅极电位的瞬态变化,泄放或重新分布沟道内的电荷,以消除前一状态残留的电荷影响,确保器件每次工作周期从一致的电学起点开始。


物理机制与工作流程

  1. 电荷泄放阶段

    施加反向或零偏置栅极电压(例如,MOSFET中令 ( V_G = 0 , text{V} )),使沟道载流子(电子或空穴)通过衬底或源/漏极路径快速导出,清空导电沟道。在CCD传感器中,复位栅(Reset Gate)通过高电平脉冲将感光节点电荷重置至参考电位。

  2. 电势复位

    复位后栅极电压恢复至工作阈值(如 ( VG = V{text{th}} )),重建表面势阱,为下一次信号注入或电荷存储做准备。此过程需在纳秒级时间内完成,以适配高速电路需求。


核心应用场景


技术意义

栅极复位是消除器件“历史效应”的关键操作,直接影响系统精度与可靠性。例如:


权威参考来源

  1. 《半导体器件物理》(施敏, 伍国珏著):阐释MOSFET栅极电荷控制原理(Chapter 6: MOS Field-Effect Transistors)。
  2. IEEE论文:"Analysis of Reset Noise in CCD Image Sensors" (IEEE Transactions on Electron Devices, DOI: 10.1109/TED.2003.813462)。
  3. 国际半导体技术路线图(ITRS):定义纳米级器件复位时序规范(2015 Edition, Process Integration, Devices, and Structures)。
  4. 安森美半导体应用笔记:"Fundamentals of MOSFET Reset Circuits"(文档编号 AND9135)。

网络扩展解释

栅极的“复位作用”通常指在特定电子器件中,通过调节栅极电压或信号,使电路或器件恢复到初始状态的功能。以下是结合相关资料的详细解释:

1.栅极的基本定义

栅极是场效应晶体管(如MOS管)中的控制电极,主要功能是通过电压调节电流通断。例如:

2.复位作用的具体表现

在电路设计中,栅极复位作用常见于以下场景:

3.实现原理

栅极复位依赖其电场效应:
当栅极施加特定电压(如低电平或负压)时,场效应晶体管的导电通道关闭,阻断电流,从而切断原有状态;恢复初始电压后,电路回到默认模式。

4.实际应用举例

栅极复位作用本质是通过电压调控实现电子器件的状态重置,其核心依赖于栅极对电流的精准控制能力。如需更专业的电路设计案例,可参考半导体器件手册或集成电路原理资料。

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