三端快速半導體開關英文解釋翻譯、三端快速半導體開關的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 trisistor

three; several; many
【計】 tri
【化】 trimethano-; trimethoxy
【醫】 tri-

carry; end; fringe; point; proper; upright
【計】 end
【醫】 extremitas; extremity; telo-; terminal; terminatio; termination; tip

celerity; fleetness; speediness
【醫】 pycno-; pykno-; tacho-; tachy-

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

on-off; stopcock; switch
【計】 disjunctor; S; SW; switch
【化】 switch
【醫】 switch

三端快速半導體開關（Triode Fast Semiconductor Switch）是一種基于半導體材料設計的電子控制器件，其核心功能是通過輸入信號實現電路的高速通斷。該器件包含三個電極：控制極（栅極）、輸入極（源極）和輸出極（漏極），通過電壓或電流變化觸發開關動作，響應時間通常在納秒級。

國際電工委員會（IEC 60747-5标準）規定了該類器件的基準測試條件，包括： $$T{rr} ≤ 35ns quad (25℃工況)$$ $$V{DS(max)} ≥ 1200V$$ 其中$T{rr}$表征反向恢複時間，$V{DS}$為漏源擊穿電壓。

“三端快速半導體開關”是一個組合術語，需結合其構成部分和半導體器件特性進行解釋：

基本定義
- 三端：指器件具有三個電極，例如常見半導體開關器件（如MOSFET、IGBT）的栅極/基極、源極/發射極、漏極/集電極結構。
- 快速：強調其開關速度高，通常指納秒至微秒級的導通/關斷時間，適用于高頻電路。
- 半導體開關：基于晶體管、可控矽等半導體材料的電子開關，通過控制信號導通或阻斷電流。
典型器件舉例
- MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應管）：三端結構（栅極、源極、漏極），開關速度快，常用于電源轉換和高頻電路。
- IGBT（絕緣栅雙極晶體管）：結合MOSFET和雙極晶體管特性，兼具高速度和耐高壓能力，適用于電機驅動等場景。
工作原理與特點
- 通過控制端（如栅極）電壓/電流，調節主電路的通斷狀态。
- 優點：無機械觸點，壽命長；無火花，安全性高；響應速度快。
- 缺點：存在導通壓降和漏電流，可能需散熱設計；完全隔離性較差。
應用領域
- 高頻開關電源、變頻器、固态繼電器（SSR）、電機驅動等需快速控制的場景。

提示：該術語并非标準器件名稱，實際應用中需結合具體型號參數，建議參考器件手冊或行業規範進一步确認特性。