三端快速半导体开关英文解释翻译、三端快速半导体开关的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 trisistor

three; several; many
【计】 tri
【化】 trimethano-; trimethoxy
【医】 tri-

carry; end; fringe; point; proper; upright
【计】 end
【医】 extremitas; extremity; telo-; terminal; terminatio; termination; tip

celerity; fleetness; speediness
【医】 pycno-; pykno-; tacho-; tachy-

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

on-off; stopcock; switch
【计】 disjunctor; S; SW; switch
【化】 switch
【医】 switch

三端快速半导体开关（Triode Fast Semiconductor Switch）是一种基于半导体材料设计的电子控制器件，其核心功能是通过输入信号实现电路的高速通断。该器件包含三个电极：控制极（栅极）、输入极（源极）和输出极（漏极），通过电压或电流变化触发开关动作，响应时间通常在纳秒级。

国际电工委员会（IEC 60747-5标准）规定了该类器件的基准测试条件，包括： $$T{rr} ≤ 35ns quad (25℃工况)$$ $$V{DS(max)} ≥ 1200V$$ 其中$T{rr}$表征反向恢复时间，$V{DS}$为漏源击穿电压。

“三端快速半导体开关”是一个组合术语，需结合其构成部分和半导体器件特性进行解释：

基本定义
- 三端：指器件具有三个电极，例如常见半导体开关器件（如MOSFET、IGBT）的栅极/基极、源极/发射极、漏极/集电极结构。
- 快速：强调其开关速度高，通常指纳秒至微秒级的导通/关断时间，适用于高频电路。
- 半导体开关：基于晶体管、可控硅等半导体材料的电子开关，通过控制信号导通或阻断电流。
典型器件举例
- MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管）：三端结构（栅极、源极、漏极），开关速度快，常用于电源转换和高频电路。
- IGBT（绝缘栅双极晶体管）：结合MOSFET和双极晶体管特性，兼具高速度和耐高压能力，适用于电机驱动等场景。
工作原理与特点
- 通过控制端（如栅极）电压/电流，调节主电路的通断状态。
- 优点：无机械触点，寿命长；无火花，安全性高；响应速度快。
- 缺点：存在导通压降和漏电流，可能需散热设计；完全隔离性较差。
应用领域
- 高频开关电源、变频器、固态继电器（SSR）、电机驱动等需快速控制的场景。

提示：该术语并非标准器件名称，实际应用中需结合具体型号参数，建议参考器件手册或行业规范进一步确认特性。