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三端可控矽器件英文解釋翻譯、三端可控矽器件的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【計】 triac

分詞翻譯:

三的英語翻譯:

three; several; many
【計】 tri
【化】 trimethano-; trimethoxy
【醫】 tri-

端的英語翻譯:

carry; end; fringe; point; proper; upright
【計】 end
【醫】 extremitas; extremity; telo-; terminal; terminatio; termination; tip

可的英語翻譯:

approve; but; can; may; need; yet

控的英語翻譯:

accuse; charge; control

矽的英語翻譯:

silicon
【醫】 Si; silicium; silicon

器件的英語翻譯:

parts of an apparatus
【化】 device

專業解析

三端可控矽器件(Triode Thyristor)是一種具有三個電極的半導體開關元件,中文全稱為"可控矽整流器",英文對應術語為Silicon Controlled Rectifier(SCR)。其核心結構由PNPN四層半導體材料構成,包含陽極(A)、陰極(K)和門極(G)三個端子,通過門極電流脈沖可控制主電流通斷。

該器件的工作原理基于再生反饋機制:當門極施加觸發電流時,器件從阻斷狀态轉為導通狀态,直至陽極電流低于維持電流才會恢複阻斷特性。這種特性使其廣泛應用于電機調速系統、固态繼電器和功率調節電路。

與雙向可控矽(TRIAC)的主要區别在于:

  1. 單向導電性:僅允許單方向電流通過
  2. 電壓承受能力:典型額定電壓可達1600V
  3. 觸發靈敏度:門極觸發電流範圍通常為5-50mA

根據IEEE Std 116-1991标準,三端可控矽的電氣參數需标注斷态重複峰值電壓(VDRM)、通态平均電流(IT(AV))和門極觸發電壓(VGT)等關鍵指标。其伏安特性曲線可通過以下公式描述: $$ IA = frac{V{AK}}{R{load}} quad (V{AK} > V_{BO}) $$ 式中VBO為轉折電壓,Rload為負載電阻。

網絡擴展解釋

三端可控矽器件是半導體領域中的一種關鍵元件,通常指單向晶閘管(SCR),其核心特點是通過三個電極實現電流控制。以下是詳細解析:

一、基本結構與電極定義

  1. 四層三結結構
    由P1-N1-P2-N2四層半導體材料構成,形成三個PN結(J1、J2、J3),屬于大功率半導體器件。

  2. 三端電極功能

    • 陽極(A):連接最外層P型半導體,負責主電流輸入。
    • 陰極(K):連接最外層N型半導體,主電流輸出端。
    • 控制極(G):從中間P層引出,用于觸發導通信號。

二、工作原理

  1. 導通條件
    需同時滿足:

    • 陽極與陰極間施加正向電壓(A正K負);
    • 控制極輸入足夠強度的觸發電流。
  2. 等效模型
    可視為兩個互補晶體管(PNP和NPN型)的級聯,觸發G極後形成正反饋回路,使器件進入持續導通狀态。

三、核心特性

  1. 單向導電性
    僅允許電流從陽極流向陰極,類似二極管但增加可控性。

  2. 觸發控制
    通過微小控制極電流(毫安級)即可調控大功率負載,實現無觸點開關功能。

四、應用領域

主要用于交流電控制場景,如:

五、與雙向可控矽的區别

雙向可控矽(TRIAC)雖同為三端器件,但内部由兩個反向并聯的SCR構成,可雙向導通,適用于交流開關控制。

如需更完整的參數或型號信息,可參考(博客園)及(OFweek百科)中的技術細節。

分類

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