三端可控硅器件英文解释翻译、三端可控硅器件的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 triac

分词翻译：

三的英语翻译：

three; several; many
【计】 tri
【化】 trimethano-; trimethoxy
【医】 tri-

端的英语翻译：

carry; end; fringe; point; proper; upright
【计】 end
【医】 extremitas; extremity; telo-; terminal; terminatio; termination; tip

可的英语翻译：

approve; but; can; may; need; yet

控的英语翻译：

accuse; charge; control

硅的英语翻译：

silicon
【医】 Si; silicium; silicon

器件的英语翻译：

parts of an apparatus
【化】 device

专业解析

三端可控硅器件（Triode Thyristor）是一种具有三个电极的半导体开关元件，中文全称为"可控硅整流器"，英文对应术语为Silicon Controlled Rectifier（SCR）。其核心结构由PNPN四层半导体材料构成，包含阳极（A）、阴极（K）和门极（G）三个端子，通过门极电流脉冲可控制主电流通断。

该器件的工作原理基于再生反馈机制：当门极施加触发电流时，器件从阻断状态转为导通状态，直至阳极电流低于维持电流才会恢复阻断特性。这种特性使其广泛应用于电机调速系统、固态继电器和功率调节电路。

与双向可控硅（TRIAC）的主要区别在于：

单向导电性：仅允许单方向电流通过
电压承受能力：典型额定电压可达1600V
触发灵敏度：门极触发电流范围通常为5-50mA

根据IEEE Std 116-1991标准，三端可控硅的电气参数需标注断态重复峰值电压（VDRM）、通态平均电流（IT(AV)）和门极触发电压（VGT）等关键指标。其伏安特性曲线可通过以下公式描述： $$ IA = frac{V{AK}}{R{load}} quad (V{AK} > V_{BO}) $$ 式中VBO为转折电压，Rload为负载电阻。

网络扩展解释

三端可控硅器件是半导体领域中的一种关键元件，通常指单向晶闸管（SCR），其核心特点是通过三个电极实现电流控制。以下是详细解析：

一、基本结构与电极定义

四层三结结构
由P1-N1-P2-N2四层半导体材料构成，形成三个PN结（J1、J2、J3），属于大功率半导体器件。
三端电极功能
- 阳极（A）：连接最外层P型半导体，负责主电流输入。
- 阴极（K）：连接最外层N型半导体，主电流输出端。
- 控制极（G）：从中间P层引出，用于触发导通信号。

二、工作原理

导通条件
需同时满足：
- 阳极与阴极间施加正向电压（A正K负）；
- 控制极输入足够强度的触发电流。
等效模型
可视为两个互补晶体管（PNP和NPN型）的级联，触发G极后形成正反馈回路，使器件进入持续导通状态。

三、核心特性

单向导电性
仅允许电流从阳极流向阴极，类似二极管但增加可控性。
触发控制
通过微小控制极电流（毫安级）即可调控大功率负载，实现无触点开关功能。

四、应用领域

主要用于交流电控制场景，如：

调光/调速：调节灯光亮度或电机转速；
整流电路：将交流电转换为可控直流；
逆变与变频：电力电子设备中的能量转换。

五、与双向可控硅的区别

双向可控硅（TRIAC）虽同为三端器件，但内部由两个反向并联的SCR构成，可双向导通，适用于交流开关控制。

如需更完整的参数或型号信息，可参考（博客园）及（OFweek百科）中的技术细节。