三端測量英文解釋翻譯、三端測量的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 three-terminal measurement

分詞翻譯：

三端的英語翻譯：

【計】 three-terminal

測量的英語翻譯：

guage; measure; meterage; scale; survey
【化】 measurement
【醫】 measurement; mensuration; survey
【經】 calibration; take the gauge of

專業解析

三端測量 (Three-Terminal Measurement) 是電子工程與半導體測試領域的關鍵技術，特指對具有三個電氣端子的器件（如晶體管、晶閘管等）進行的電氣參數測量。其核心在于同時或分别測量器件三個端子（通常為源極/發射極、栅極/基極、漏極/集電極）之間的電壓、電流及其相互關系，以全面表征器件的靜态（直流）和動态（交流）特性，如增益、跨導、截止頻率、開關速度等。

漢英詞典角度詳解

術語構成 (Term Composition):
- 三端 (Sān duān): 指“三個端子”或“三個電極”。英文對應Three-Terminal，強調被測器件具有三個獨立的電氣連接點。
- 測量 (Cèliáng): 指“量度、測試”。英文對應Measurement，指通過儀器獲取電氣參數（電壓、電流、電阻、電容等）數據的過程。
- 整體含義: 對具有三個端子的電子器件進行的電氣參數測試。英文術語Three-Terminal Measurement 直接體現了這一概念。
核心目的與對象 (Core Purpose & Object):
- 目的: 精确獲取三端器件在特定工作條件下的電氣行為模型參數。這對于器件建模、電路設計、可靠性評估和故障診斷至關重要。
- 對象: 主要應用于各類三端半導體器件，如：
  - 雙極結型晶體管 (Bipolar Junction Transistor, BJT): 基極 (Base)、發射極 (Emitter)、集電極 (Collector)。
  - 場效應晶體管 (Field-Effect Transistor, FET): 包括金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和結型場效應晶體管 (JFET)，端子為栅極 (Gate)、源極 (Source)、漏極 (Drain)。
  - 絕緣栅雙極晶體管 (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT): 栅極 (Gate)、發射極 (Emitter)、集電極 (Collector)。
  - 晶閘管 (Thyristor): 如可控矽整流器 (SCR)，端子為陽極 (Anode)、陰極 (Cathode)、門極 (Gate)。
關鍵測量參數 (Key Measurement Parameters):
- 靜态 (DC) 參數: 如 BJT 的直流電流增益 (h_FE)，FET 的阈值電壓 (V_th)、導通電阻 (R_DS(on))，器件的飽和壓降、漏電流等。這些參數反映了器件在穩态工作點下的特性。
- 動态 (AC/Switching) 參數: 如跨導 (g_m)、輸入/輸出電容 (C_iss, C_oss, C_rss)、開關時間 (Turn-on/Turn-off time)、反向恢複時間等。這些參數描述了器件在開關或小信號工作狀态下的響應速度和高頻特性。
測量方法與儀器 (Measurement Methods & Instruments):
- 方法: 通常需要精密的源測量單元 (Source Measure Unit, SMU) 或參數分析儀。這些儀器能同時對器件的不同端子施加精确的電壓或電流激勵，并同步測量其他端子的響應（電流或電壓）。常見的測試配置包括共射/共源、共基/共栅等。
- 儀器: 專業的半導體參數分析儀（如 Keysight B1500A, Keithley 4200-SCS）是進行精确、全面三端測量的标準設備。示波器、曲線追蹤儀等也可用于特定場景的測量。
應用領域 (Application Fields): 三端測量廣泛應用于半導體器件的研發、晶圓測試 (Wafer Test)、成品測試 (Final Test)、質量控制和可靠性分析，是集成電路 (IC) 和分立器件制造與設計驗證不可或缺的環節。

權威參考來源 (Authoritative References):

IEEE Standards Association: IEEE 标準（如 IEEE 255-1963 “Standard Definitions of Semiconductor Terms”）為半導體術語（包括器件端子和測量）提供了權威定義和規範。訪問 IEEE Xplore Digital Library 可查閱相關标準文檔。
International Electrotechnical Commission (IEC): IEC 發布了一系列關于半導體器件測試方法和參數的标準（如 IEC 60747 系列标準），為三端測量提供了國際通用的測試規範。詳情見 IEC Webstore。
半導體參數分析儀制造商技術文檔: 行業領先的測試設備制造商（如 Keysight Technologies, Tektronix (Keithley)）提供的應用指南和白皮書詳細闡述了各種三端器件的測量原理、方法和最佳實踐。例如 Keysight 的《B1500A 半導體器件分析儀應用指南》。
國家計量技術規範: 如中國國家計量技術規範 JJF 1184-2007《半導體管特性圖示儀校準規範》，涉及三端器件關鍵參數的測量與校準方法。

參考來源：IEEE Standards, IEC Standards, 半導體測試設備制造商技術文檔 (如 Keysight, Tektronix/Keithley), 國家計量技術規範 (如 JJF 1184-2007)

網絡擴展解釋

“三端測量”是一種用于提高電子元件測量精度的技術，常見于高阻抗或易受幹擾的測量場景（如電阻、電容、絕緣材料測試）。其核心原理是通過引入第三個端子（通常稱為“保護端”或“屏蔽端”），消除外部幹擾或寄生參數（如洩漏電流、雜散電容）對測量結果的影響。

典型應用場景：

高阻值電阻測量
傳統兩線法會因引線電阻和接觸電阻産生誤差，而三端測量通過保護端将洩漏電流旁路，确保測量端僅捕獲被測電阻的真實電流，顯著提升精度（例如絕緣電阻測試儀）。
電容測量
在精密電容測試中，三端法通過屏蔽端隔離測試引線間的雜散電容，避免其對被測電容值的幹擾，常用于高頻或低損耗電容的測量。
變壓器或電纜測試
測量絕緣性能時，保護端可将表面洩漏電流導向地線，僅保留通過絕緣材料的電流，從而準确反映材料的介電特性。

原理示意圖（簡化）：

被測元件
│
├── 測量端（檢測真實電流/電壓）
├── 電源端（提供激勵信號）
└── 保護端（旁路幹擾信號）

通過這種結構，三端測量有效隔離了環境噪聲和寄生效應，適用于實驗室精密儀器、工業檢測設備等領域。