台面刻蝕英文解釋翻譯、台面刻蝕的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 mesa etch

broadcasting station; dais; desk; platform; stage; support; table
【醫】 table

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

【計】 etch

術語定義 (Term Definition): “台面刻蝕”是半導體制造工藝中的一項關鍵技術。其核心含義是通過選擇性蝕刻（Etching）半導體材料（如矽、砷化镓等），在襯底表面形成具有陡峭側壁、頂部平坦的凸起平台狀結構，因其形似“台面”而得名。英文對應術語為Mesa Etching。

工藝原理 (Process Principle):

掩膜制備 (Mask Preparation): 首先在半導體晶圓表面沉積或生長一層掩膜材料（如二氧化矽、氮化矽或光刻膠）。通過光刻（Photolithography）技術，将所需的“台面”圖形精确轉移到掩膜層上，暴露出需要被蝕刻掉的區域。
選擇性蝕刻 (Selective Etching): 使用濕法化學蝕刻（Wet Chemical Etching）或幹法等離子體蝕刻（Dry Plasma Etching）技術，對暴露的半導體區域進行蝕刻。蝕刻過程需要具有高選擇性，即隻蝕刻半導體材料，而對下方的襯底和上方的掩膜層蝕刻速率極低或為零。
結構形成 (Structure Formation): 蝕刻進行到預定深度後停止，去除掩膜層。最終在襯底上留下一個或多個孤立的、具有垂直或近似垂直側壁的台面結構。台面之間的區域被蝕刻掉，形成隔離溝槽。

核心目的與應用 (Core Purpose & Applications): 台面刻蝕的主要目的是實現半導體器件之間的電學隔離。在早期半導體器件（如台面二極管、台面晶體管）和現代化合物半導體器件（如GaAs HEMT、激光二極管）制造中尤為重要：

器件隔離 (Device Isolation): 通過物理隔離相鄰器件，防止它們之間發生電學串擾（如漏電流），提高器件性能和電路集成度。
台面器件結構 (Mesa Device Structure): 直接形成器件的有源區結構，例如台面型肖特基二極管（Mesa Schottky Diode）、台面型雙極晶體管（Mesa Bipolar Transistor）等。台面結構有助于減小結電容、提高擊穿電壓。
光學器件 (Optical Devices): 在光電子器件（如邊發射激光器）中，台面刻蝕用于定義激光器的脊形波導或台面結構。
異質結器件 (Heterojunction Devices): 在基于III-V族化合物半導體（如GaN, GaAs）的高電子遷移率晶體管（HEMT）等器件中，台面刻蝕是形成器件台面、實現隔離的關鍵步驟。

技術特點與優勢 (Technical Characteristics & Advantages):

工藝相對簡單 (Relatively Simple Process): 相比平面工藝中的複雜隔離技術（如LOCOS或STI），台面刻蝕步驟較少。
良好的隔離效果 (Good Isolation Performance): 物理溝槽能有效阻斷表面和體内的漏電通路。
適用于化合物半導體 (Suitable for Compound Semiconductors): 對于難以進行選擇性離子注入或氧化隔離的化合物半導體材料（如GaAs, InP），台面刻蝕是主要的隔離手段。
陡峭側壁 (Steep Sidewalls): 幹法蝕刻（如ICP-RIE）可實現接近垂直的側壁，有利于器件小型化和集成。

參考來源 (References):

中國電子學會. 《半導體技術術語手冊》. 電子工業出版社. (China Electronics Society. Handbook of Semiconductor Technology Terms. Publishing House of Electronics Industry.)
S. M. Sze & K. K. Ng. 《半導體器件物理與工藝（第三版）》. 趙鶴鳴等譯. 蘇州大學出版社. (S. M. Sze & K. K. Ng. Physics of Semiconductor Devices (3rd Ed). Translated by Zhao Heming et al. Soochow University Press.) - 經典教材，涵蓋器件物理與制造工藝基礎。
IEEE Electron Devices Society. 《IEEE 電子器件制造工藝指南》. (IEEE Electron Devices Society. IEEE Guide for Electronic Device Manufacturing Processes.) - 行業标準組織發布的權威指南。
王陽元等. 《集成電路工藝手冊》. 電子工業出版社. (Wang Yangyuan et al. Handbook of Integrated Circuit Manufacturing Processes. Publishing House of Electronics Industry.) - 國内權威的集成電路工藝參考書。
《英漢微電子技術詞典》. 科學出版社. (English-Chinese Dictionary of Microelectronics. Science Press.) - 提供專業術語的标準中英文對照。

台面刻蝕（MESA刻蝕）是半導體制造和微納加工中的一種關鍵工藝技術，主要用于在材料表面形成階梯狀或平台狀結構。以下是綜合多個來源的詳細解釋：

台面刻蝕通過選擇性去除材料表面特定區域，形成類似"台地"的立體結構。這種結構常見于光電器件（如LED、激光二極管）和半導體器件中，用于實現不同功能層的隔離或電極接觸優化。

特性	說明
各向異性	幹法刻蝕可實現高方向性，減少橫向刻蝕（對比濕法刻蝕精度提升5-10倍）
選擇比	通過調節氣體配比，可實現對不同材料（如GaAs/SiO₂）的選擇性刻蝕
尺寸控制	最小特征尺寸可達納米級，滿足現代微電子器件需求

注：該工藝需要精确控制刻蝕速率（通常50-500nm/min）、等離子體密度（10¹⁰-10¹² cm⁻³）等參數。更專業的工藝細節可參考半導體制造标準文件SEMI F47-0200。