台面刻蚀英文解释翻译、台面刻蚀的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 mesa etch

broadcasting station; dais; desk; platform; stage; support; table
【医】 table

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

【计】 etch

术语定义 (Term Definition): “台面刻蚀”是半导体制造工艺中的一项关键技术。其核心含义是通过选择性蚀刻（Etching）半导体材料（如硅、砷化镓等），在衬底表面形成具有陡峭侧壁、顶部平坦的凸起平台状结构，因其形似“台面”而得名。英文对应术语为Mesa Etching。

工艺原理 (Process Principle):

掩膜制备 (Mask Preparation): 首先在半导体晶圆表面沉积或生长一层掩膜材料（如二氧化硅、氮化硅或光刻胶）。通过光刻（Photolithography）技术，将所需的“台面”图形精确转移到掩膜层上，暴露出需要被蚀刻掉的区域。
选择性蚀刻 (Selective Etching): 使用湿法化学蚀刻（Wet Chemical Etching）或干法等离子体蚀刻（Dry Plasma Etching）技术，对暴露的半导体区域进行蚀刻。蚀刻过程需要具有高选择性，即只蚀刻半导体材料，而对下方的衬底和上方的掩膜层蚀刻速率极低或为零。
结构形成 (Structure Formation): 蚀刻进行到预定深度后停止，去除掩膜层。最终在衬底上留下一个或多个孤立的、具有垂直或近似垂直侧壁的台面结构。台面之间的区域被蚀刻掉，形成隔离沟槽。

核心目的与应用 (Core Purpose & Applications): 台面刻蚀的主要目的是实现半导体器件之间的电学隔离。在早期半导体器件（如台面二极管、台面晶体管）和现代化合物半导体器件（如GaAs HEMT、激光二极管）制造中尤为重要：

器件隔离 (Device Isolation): 通过物理隔离相邻器件，防止它们之间发生电学串扰（如漏电流），提高器件性能和电路集成度。
台面器件结构 (Mesa Device Structure): 直接形成器件的有源区结构，例如台面型肖特基二极管（Mesa Schottky Diode）、台面型双极晶体管（Mesa Bipolar Transistor）等。台面结构有助于减小结电容、提高击穿电压。
光学器件 (Optical Devices): 在光电子器件（如边发射激光器）中，台面刻蚀用于定义激光器的脊形波导或台面结构。
异质结器件 (Heterojunction Devices): 在基于III-V族化合物半导体（如GaN, GaAs）的高电子迁移率晶体管（HEMT）等器件中，台面刻蚀是形成器件台面、实现隔离的关键步骤。

技术特点与优势 (Technical Characteristics & Advantages):

工艺相对简单 (Relatively Simple Process): 相比平面工艺中的复杂隔离技术（如LOCOS或STI），台面刻蚀步骤较少。
良好的隔离效果 (Good Isolation Performance): 物理沟槽能有效阻断表面和体内的漏电通路。
适用于化合物半导体 (Suitable for Compound Semiconductors): 对于难以进行选择性离子注入或氧化隔离的化合物半导体材料（如GaAs, InP），台面刻蚀是主要的隔离手段。
陡峭侧壁 (Steep Sidewalls): 干法蚀刻（如ICP-RIE）可实现接近垂直的侧壁，有利于器件小型化和集成。

参考来源 (References):

中国电子学会. 《半导体技术术语手册》. 电子工业出版社. (China Electronics Society. Handbook of Semiconductor Technology Terms. Publishing House of Electronics Industry.)
S. M. Sze & K. K. Ng. 《半导体器件物理与工艺（第三版）》. 赵鹤鸣等译. 苏州大学出版社. (S. M. Sze & K. K. Ng. Physics of Semiconductor Devices (3rd Ed). Translated by Zhao Heming et al. Soochow University Press.) - 经典教材，涵盖器件物理与制造工艺基础。
IEEE Electron Devices Society. 《IEEE 电子器件制造工艺指南》. (IEEE Electron Devices Society. IEEE Guide for Electronic Device Manufacturing Processes.) - 行业标准组织发布的权威指南。
王阳元等. 《集成电路工艺手册》. 电子工业出版社. (Wang Yangyuan et al. Handbook of Integrated Circuit Manufacturing Processes. Publishing House of Electronics Industry.) - 国内权威的集成电路工艺参考书。
《英汉微电子技术词典》. 科学出版社. (English-Chinese Dictionary of Microelectronics. Science Press.) - 提供专业术语的标准中英文对照。

台面刻蚀（MESA刻蚀）是半导体制造和微纳加工中的一种关键工艺技术，主要用于在材料表面形成阶梯状或平台状结构。以下是综合多个来源的详细解释：

台面刻蚀通过选择性去除材料表面特定区域，形成类似"台地"的立体结构。这种结构常见于光电器件（如LED、激光二极管）和半导体器件中，用于实现不同功能层的隔离或电极接触优化。

特性	说明
各向异性	干法刻蚀可实现高方向性，减少横向刻蚀（对比湿法刻蚀精度提升5-10倍）
选择比	通过调节气体配比，可实现对不同材料（如GaAs/SiO₂）的选择性刻蚀
尺寸控制	最小特征尺寸可达纳米级，满足现代微电子器件需求

注：该工艺需要精确控制刻蚀速率（通常50-500nm/min）、等离子体密度（10¹⁰-10¹² cm⁻³）等参数。更专业的工艺细节可参考半导体制造标准文件SEMI F47-0200。