刷新存儲器更新存儲器英文解釋翻譯、刷新存儲器更新存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 refresh memory

分詞翻譯：

刷新的英語翻譯：

break; refurbish; renovate; renovation
【計】 refresh

存儲器的英語翻譯：

storage; store
【計】 M; memorizer; S

更新存儲器的英語翻譯：

【計】 update memory

專業解析

在計算機體系結構中，"刷新存儲器"與"更新存儲器"是兩個具有特定技術含義的術語，其漢英對照及解釋如下：

一、刷新存儲器（Refresh Memory）

英文術語：Refresh Memory 或 DRAM Refresh

核心概念：指動态隨機存取存儲器（DRAM）為維持數據完整性而進行的周期性電荷重寫操作。DRAM利用電容存儲電荷表示數據（"1"或"0"），但電容會因漏電流導緻電荷流失，需在毫秒級間隔内通過刷新電路重新寫入數據，防止信息丢失。

技術特點：

硬件驅動：由存儲控制器自動執行，無需處理器幹預。
刷新周期：典型值為64ms内完成全部行刷新（如JEDEC标準）。
性能影響：刷新期間存儲器暫停讀寫訪問，可能引發延遲。

權威參考：

計算機體系結構經典教材《Computer Architecture: A Quantitative Approach》指出：

"DRAM requires periodic refreshing to maintain stored data, typically every 64ms for modern chips."

二、更新存儲器（Update Memory）

英文術語：Update Memory

核心概念：指通過軟件或硬件指令主動修改存儲器中的内容，包括寫入新數據、覆蓋舊數據或更改存儲狀态。與刷新不同，"更新"是功能性操作而非維持性操作。

應用場景：

數據寫入：CPU将運算結果存入指定内存地址。
緩存一緻性：多核系統中同步緩存與主存數據（如寫回策略）。
固件升級：重寫閃存（Flash Memory）中的程式代碼。

技術對比：

維度	刷新存儲器	更新存儲器
目的	維持現有數據	修改數據内容
觸發機制	定時器硬件觸發	軟件指令或外部事件觸發
操作對象	DRAM存儲單元	任意可寫存儲器（DRAM/SRAM/Flash）

權威參考：

IEEE标準《IEEE Std 1003.1》定義存儲更新為：

"The process of modifying the contents of a memory location by explicit write operations."

三、關鍵差異總結

刷新是DRAM特有的物理維護機制，解決電荷衰減問題；
更新是通用邏輯操作，實現數據變更功能。

例如：SSD（固态硬盤）無需刷新（因NAND Flash無電荷洩漏），但需更新操作寫入數據；而DDR SDRAM必須同時支持刷新（維持數據）與更新（寫入數據）。

網絡擴展解釋

刷新存儲器（Refresh Memory）是一種需要周期性更新數據以防止信息丢失的存儲技術，常見于動态隨機存取存儲器（DRAM）中。以下是詳細解釋：

1.刷新存儲器的定義與原理

核心概念：DRAM通過電容存儲電荷來表示數據，但電容會因漏電導緻電荷流失，因此需要定期“刷新”以重新寫入數據，維持信息完整性。
刷新方式：包括集中刷新（短時間内完成全部行的刷新）、分散刷新（每行分散到不同時間點刷新）、異步刷新（結合前兩種方式優化延遲）。

2.應用場景

顯存：在顯示適配器中，刷新存儲器用作顯存（VRAM），存儲屏幕顯示的圖像數據。例如，高分辨率（1024×1024）和256色圖像需要約1MB 的顯存容量（計算公式：分辨率 × 顔色位數 ÷ 8）。
動态内存：計算機主存中的DRAM依賴刷新機制，是内存條的主要技術。

3.存儲容量影響因素

分辨率與顔色深度：顯存容量與顯示分辨率、顔色位數直接相關。例如，若分辨率為1024×1024，256色（8位/像素），則容量為 (1024 times 1024 times 8 , text{bit} = 1 , text{MB})。
刷新頻率：更高的幀頻（如50Hz）可能增加帶寬需求，影響存儲設計。

4.關于“更新存儲器”

這一術語并非标準表述，可能指代以下兩種情況：
- 數據更新機制：即DRAM的刷新操作。
- 存儲器的寫入功能：如EPROM等可編程存儲器的數據修改過程，但需特定操作（如紫外線擦除）。

刷新存儲器的核心是動态維持數據，廣泛應用于内存和顯存。其容量取決于具體場景參數（如分辨率、顔色深度），而“更新存儲器”更可能指刷新機制而非獨立術語。如需完整技術細節，可參考顯示適配器或DRAM相關文檔。