刷新存储器更新存储器英文解释翻译、刷新存储器更新存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 refresh memory

分词翻译：

刷新的英语翻译：

break; refurbish; renovate; renovation
【计】 refresh

存储器的英语翻译：

storage; store
【计】 M; memorizer; S

更新存储器的英语翻译：

【计】 update memory

专业解析

在计算机体系结构中，"刷新存储器"与"更新存储器"是两个具有特定技术含义的术语，其汉英对照及解释如下：

一、刷新存储器（Refresh Memory）

英文术语：Refresh Memory 或 DRAM Refresh

核心概念：指动态随机存取存储器（DRAM）为维持数据完整性而进行的周期性电荷重写操作。DRAM利用电容存储电荷表示数据（"1"或"0"），但电容会因漏电流导致电荷流失，需在毫秒级间隔内通过刷新电路重新写入数据，防止信息丢失。

技术特点：

硬件驱动：由存储控制器自动执行，无需处理器干预。
刷新周期：典型值为64ms内完成全部行刷新（如JEDEC标准）。
性能影响：刷新期间存储器暂停读写访问，可能引发延迟。

权威参考：

计算机体系结构经典教材《Computer Architecture: A Quantitative Approach》指出：

"DRAM requires periodic refreshing to maintain stored data, typically every 64ms for modern chips."

二、更新存储器（Update Memory）

英文术语：Update Memory

核心概念：指通过软件或硬件指令主动修改存储器中的内容，包括写入新数据、覆盖旧数据或更改存储状态。与刷新不同，"更新"是功能性操作而非维持性操作。

应用场景：

数据写入：CPU将运算结果存入指定内存地址。
缓存一致性：多核系统中同步缓存与主存数据（如写回策略）。
固件升级：重写闪存（Flash Memory）中的程序代码。

技术对比：

维度	刷新存储器	更新存储器
目的	维持现有数据	修改数据内容
触发机制	定时器硬件触发	软件指令或外部事件触发
操作对象	DRAM存储单元	任意可写存储器（DRAM/SRAM/Flash）

权威参考：

IEEE标准《IEEE Std 1003.1》定义存储更新为：

"The process of modifying the contents of a memory location by explicit write operations."

三、关键差异总结

刷新是DRAM特有的物理维护机制，解决电荷衰减问题；
更新是通用逻辑操作，实现数据变更功能。

例如：SSD（固态硬盘）无需刷新（因NAND Flash无电荷泄漏），但需更新操作写入数据；而DDR SDRAM必须同时支持刷新（维持数据）与更新（写入数据）。

网络扩展解释

刷新存储器（Refresh Memory）是一种需要周期性更新数据以防止信息丢失的存储技术，常见于动态随机存取存储器（DRAM）中。以下是详细解释：

1.刷新存储器的定义与原理

核心概念：DRAM通过电容存储电荷来表示数据，但电容会因漏电导致电荷流失，因此需要定期“刷新”以重新写入数据，维持信息完整性。
刷新方式：包括集中刷新（短时间内完成全部行的刷新）、分散刷新（每行分散到不同时间点刷新）、异步刷新（结合前两种方式优化延迟）。

2.应用场景

显存：在显示适配器中，刷新存储器用作显存（VRAM），存储屏幕显示的图像数据。例如，高分辨率（1024×1024）和256色图像需要约1MB 的显存容量（计算公式：分辨率 × 颜色位数 ÷ 8）。
动态内存：计算机主存中的DRAM依赖刷新机制，是内存条的主要技术。

3.存储容量影响因素

分辨率与颜色深度：显存容量与显示分辨率、颜色位数直接相关。例如，若分辨率为1024×1024，256色（8位/像素），则容量为 (1024 times 1024 times 8 , text{bit} = 1 , text{MB})。
刷新频率：更高的帧频（如50Hz）可能增加带宽需求，影响存储设计。

4.关于“更新存储器”

这一术语并非标准表述，可能指代以下两种情况：
- 数据更新机制：即DRAM的刷新操作。
- 存储器的写入功能：如EPROM等可编程存储器的数据修改过程，但需特定操作（如紫外线擦除）。

刷新存储器的核心是动态维持数据，广泛应用于内存和显存。其容量取决于具体场景参数（如分辨率、颜色深度），而“更新存储器”更可能指刷新机制而非独立术语。如需完整技术细节，可参考显示适配器或DRAM相关文档。