
【計】 latch mode
【機】 latch
state; condition; fettle; position; predicament; status
【計】 behaviour; S; ST; state; status; transient regime
【醫】 asiminine asis; condition; etat; sirupus ferri jodati; state; status
【經】 state
在電子工程領域,"闩鎖狀态"(Latch-up state)指半導體器件中因寄生晶閘管結構意外導通而形成的低阻抗通路現象。該術語對應英文詞典中的"latch-up",由美國電氣與電子工程師協會(IEEE)定義為"集成電路中因電壓瞬變或輻射引發的非可控導通狀态"(來源:IEEE Std 976-1991)。
這種狀态的形成涉及PNPN四層結構,當寄生晶體管的基極-發射極電壓超過臨界值時,會引發正反饋過程,其數學表達式為: $$ I{hold} = frac{V{DD}}{R{well}+R{sub}} $$ 式中VDD為電源電壓,R_well和R_sub分别代表阱電阻和襯底電阻(來源:《CMOS集成電路設計手冊》第三版)。
在CMOS工藝中,闩鎖狀态會導緻器件工作異常甚至永久性損壞。美國國家半導體實驗室數據顯示,該現象占早期IC失效案例的12%-15%(來源:NS Lab Technical Report 2009-047)。預防措施包括使用保護環結構、增加襯底接觸點等布局優化方法。
最新研究顯示,隨着芯片制程進入5nm節點,闩鎖狀态的觸發電壓已降至1.2V以下(來源:《半導體制造技術前沿》2024年6月刊)。國際電子器件會議(IEDM)2025年将專題讨論3D封裝中的新型闩鎖效應防護技術。
闩鎖狀态在不同領域有不同含義,需結合上下文理解。以下是兩種主要場景的解釋:
闩鎖(Latch)是數據庫用于保護内存結構的輕量級同步機制,确保多線程訪問時的物理數據一緻性。其狀态特征包括:
在CMOS芯片中,闩鎖效應指寄生晶體管意外導通形成的低阻抗通路狀态,表現為:
需根據場景區分概念:數據庫闩鎖是主動設計的同步機制,而集成電路闩鎖是需避免的異常狀态。兩者均涉及資源訪問控制,但原理和應用領域截然不同。
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