
【電】 ambipolar diffusion coefficient
雙載子擴散系數(Bipolar Diffusion Coefficient)是半導體物理學中描述電子和空穴兩種載流子共同擴散行為的關鍵參數。其英文對應術語為"ambipolar diffusion coefficient",常用于分析非平衡載流子在電場和濃度梯度作用下的輸運過程。該參數綜合了電子擴散系數((D_n))和空穴擴散系數((Dp))的特性,數學表達式為: $$ D{amb} = frac{D_n D_p (n + p)}{n D_n + p D_p} $$ 其中(n)和(p)分别代表電子和空穴的濃度。
在半導體器件(如雙極晶體管、太陽能電池)中,雙載子擴散系數決定了載流子複合速率與擴散長度的關系。例如在光生載流子分離過程中,高擴散系數可提升器件效率(參考來源:Solid-State Electronics, Vol. 32)。該參數的測量通常通過瞬态光電導衰減實驗完成,相關标準可見IEEE Transactions on Electron Devices。
需注意的是,雙載子擴散效應在低注入條件下會退化為單極擴散,而在高注入條件下受愛因斯坦關系約束。這種現象在PN結空間電荷區的載流子輸運建模中尤為重要(參考來源:Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze)。
雙載子擴散系數(Ambipolar Diffusion Coefficient)是半導體物理和材料科學中的重要概念,主要用于描述半導體中電子和空穴兩種載流子共同擴散時的等效擴散特性。以下是詳細解釋:
雙載子擴散系數表示過剩載流子(電子和空穴)在半導體中擴散時的綜合擴散能力。當半導體中同時存在電子和空穴的濃度梯度時,兩者的擴散會相互影響,最終形成一個等效的擴散系數。這一系數綜合了兩種載流子的擴散速率,常用于分析非平衡載流子的輸運過程。
在半導體中,電子和空穴的擴散通常伴隨電場效應(如愛因斯坦關系),但雙載子擴散系數通過引入準中性條件(電荷局部平衡),可忽略電場影響,簡化計算。
如需進一步了解具體公式推導或實驗測量方法,可參考半導體物理相關教材或專業文獻。
擦淨傳呼出庭醋酸生育酚粗制油打濕底本地對地反模光化學過程華椴環狀軟骨氣管切開術龍格氏法氯波必利履行遲延馬萊氏定律迷走神經素模式化記號青黴素V甲哌四環素傾卸汽車親壓體汽蝕模型試驗聲能傳輸率社員似然推理濕性羅音酸性媒介深藍頭孢甘氨酸圖論計算機算法外混式霧化噴嘴完成引長