雙極型半導體存儲裝置英文解釋翻譯、雙極型半導體存儲裝置的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 bipolar memory device

分詞翻譯：

雙極的英語翻譯：

【醫】 twin pole

型的英語翻譯：

model; mould; type
【醫】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【經】 type

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

存儲裝置的英語翻譯：

【計】 storing device

專業解析

雙極型半導體存儲裝置 (Bipolar Semiconductor Memory Device)

該術語指一類利用雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）作為核心存儲單元或外圍驅動電路的半導體存儲器。其名稱來源于其工作原理依賴于電子和空穴兩種極性載流子（“雙極”）的參與。以下是詳細解釋：

核心結構與原理 (Core Structure and Principle)
- 基本存儲單元通常由雙極型晶體管（如NPN或PNP型）與電阻、電容等元件構成。常見的一種早期結構是雙極型靜态隨機存取存儲器（Bipolar SRAM）單元，由兩個交叉耦合的雙極型晶體管和兩個電阻組成觸發器（Flip-Flop）電路。
- 信息（“0”或“1”）的存儲依賴于晶體管對的導通或截止狀态，這種狀态是穩定的（靜态），隻要供電存在，數據就不會丢失。
- 數據的讀寫通過位線（Bit Line）和字線（Word Line）進行尋址和控制。
關鍵特性 (Key Characteristics)
- 高速性 (High Speed)：雙極型晶體管本身具有極高的開關速度和電流驅動能力，因此雙極型存儲器（尤其是SRAM）曾以其極快的訪問速度（納秒級）著稱，遠快于早期的MOS型存儲器。這使得它們在對速度要求極高的場合（如大型機緩存、高速測試設備）中曾占據主導地位。
- 功耗 (Power Consumption)：主要缺點之一是功耗較大。雙極型晶體管是電流控制器件，工作時需要持續的基極電流，導緻靜态功耗（待機功耗）和動态功耗（讀寫功耗）都相對較高。
- 集成度 (Integration Density)：相比後來發展的MOS（尤其是CMOS）技術，雙極型晶體管的單元結構相對複雜，占用芯片面積較大，導緻集成度較低（即單位面積上能集成的存儲位數較少）。
主要類型與應用 (Main Types and Applications)
- 雙極型SRAM (Bipolar SRAM)：是最主要的類型。利用觸發器結構存儲數據，速度快，但功耗和成本高。曾廣泛應用于高速緩存、寄存器文件等對速度要求苛刻的領域。
- 雙極型ROM (Bipolar ROM)：如熔絲型PROM（Programmable ROM），利用熔斷或未熔斷的熔絲來代表“0”或“1”。也因其編程速度較快而被使用過。
- 其他：曆史上還存在過雙極型DRAM等，但均因功耗和集成度劣勢被MOS技術取代。
技術演進與現狀 (Evolution and Current Status)
- 隨着金屬氧化物半導體（MOS）技術，特别是互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術的飛速發展，CMOS存儲器在功耗、集成度和成本上展現出巨大優勢。
- 雖然CMOS SRAM的速度一度不及雙極型SRAM，但CMOS技術的持續進步（按比例縮小、工藝改進）使其速度不斷提升，同時保持了極低的功耗和極高的集成度。
- 因此，自20世紀80年代中後期起，雙極型半導體存儲器在主流應用領域（如計算機主内存、通用存儲器）已基本被CMOS存儲器取代。現代計算機系統中的内存（DRAM）、緩存（SRAM）、閃存（Flash）等幾乎全部基于CMOS技術。
特殊應用 (Specialized Applications)
- 在極少數對速度要求達到極緻、且功耗和成本非首要考慮因素的特殊領域（如某些高速數據采集、雷達信號處理、航空航天電子系統），基于先進雙極工藝（如SiGe BiCMOS）或ECL（發射極耦合邏輯）的高速SRAM可能仍有應用，但這屬于非常小衆的市場。

總結 (Summary): “雙極型半導體存儲裝置”指利用雙極型晶體管實現數據存儲的半導體存儲器，尤以雙極型SRAM為代表。其核心特點是高速，但伴隨高功耗、低集成度的缺點。在半導體存儲器發展史上曾因其速度優勢占據重要地位，但最終因其功耗和集成度劣勢，在主流應用中被更先進的CMOS技術所取代。目前僅存于少數對速度有極端要求的特殊領域。

參考來源 (Reference Sources):

《半導體器件物理與工藝》(施敏, 伍國珏著) - 标準教材，詳細講解雙極晶體管原理及存儲器基礎。
IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC) - 權威期刊，刊載存儲器技術演進曆史與性能比較的論文。
《超大規模集成電路設計導論》(Neil Weste, David Harris著) - 介紹各類存儲器結構、特性及CMOS對雙極的替代。
JEDEC 标準文檔 (如JESD21-C) - 行業标準組織，定義包括早期PROM在内的存儲器類型和接口規範。

網絡擴展解釋

雙極型半導體存儲裝置是一種基于雙極型晶體管技術的存儲設備，其核心特點在于同時利用電子和空穴兩種載流子實現數據存儲與傳輸。以下從定義、原理、特點及應用四個方面進行詳細說明：

1.定義與結構

雙極型半導體指器件内部同時存在電子（N型區）和空穴（P型區）兩種載流子參與導電的半導體材料。存儲裝置則通過雙極型晶體管（BJT）構成存儲單元，例如雙極型隨機存儲器（Bipolar RAM），屬于早期半導體存儲器的一種。

2.工作原理

載流子作用：通過控制基極電流調節電子與空穴的複合過程，實現邏輯狀态的切換（如“0”和“1”）。
存儲機制：靜态存儲方式依賴雙穩态電路交叉反饋保持信息，無需刷新；動态存儲則通過電容電荷存儲數據，需周期性刷新。

3.核心特點

高速性：相比MOS型存儲器，雙極型存儲器的存取速度快約3個數量級，曾用于早期計算機的緩沖存儲器。
功耗與集成度：功耗較高，集成度較低，適合小容量高速場景（如Cache），而MOS型更適用于大容量主存。
接口簡化：與雙極型邏輯電路兼容，減少了系統接口複雜度。

4.應用與演變

曆史地位：作為最早商用的半導體存儲器，顯著提升了計算機運算速度。
現狀：因功耗和成本問題，逐漸被CMOS等低功耗技術替代，但在特定高速領域仍有應用。

雙極型半導體存儲裝置以高速為核心優勢，但因功耗限制，現多用于特殊場景。現代存儲器技術（如DRAM、Flash）多基于MOS工藝，兼具高集成度與低功耗特性。