双极型半导体存储装置英文解释翻译、双极型半导体存储装置的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 bipolar memory device

分词翻译：

双极的英语翻译：

【医】 twin pole

型的英语翻译：

model; mould; type
【医】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【经】 type

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

存储装置的英语翻译：

【计】 storing device

专业解析

双极型半导体存储装置 (Bipolar Semiconductor Memory Device)

该术语指一类利用双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）作为核心存储单元或外围驱动电路的半导体存储器。其名称来源于其工作原理依赖于电子和空穴两种极性载流子（“双极”）的参与。以下是详细解释：

核心结构与原理 (Core Structure and Principle)
- 基本存储单元通常由双极型晶体管（如NPN或PNP型）与电阻、电容等元件构成。常见的一种早期结构是双极型静态随机存取存储器（Bipolar SRAM）单元，由两个交叉耦合的双极型晶体管和两个电阻组成触发器（Flip-Flop）电路。
- 信息（“0”或“1”）的存储依赖于晶体管对的导通或截止状态，这种状态是稳定的（静态），只要供电存在，数据就不会丢失。
- 数据的读写通过位线（Bit Line）和字线（Word Line）进行寻址和控制。
关键特性 (Key Characteristics)
- 高速性 (High Speed)：双极型晶体管本身具有极高的开关速度和电流驱动能力，因此双极型存储器（尤其是SRAM）曾以其极快的访问速度（纳秒级）著称，远快于早期的MOS型存储器。这使得它们在对速度要求极高的场合（如大型机缓存、高速测试设备）中曾占据主导地位。
- 功耗 (Power Consumption)：主要缺点之一是功耗较大。双极型晶体管是电流控制器件，工作时需要持续的基极电流，导致静态功耗（待机功耗）和动态功耗（读写功耗）都相对较高。
- 集成度 (Integration Density)：相比后来发展的MOS（尤其是CMOS）技术，双极型晶体管的单元结构相对复杂，占用芯片面积较大，导致集成度较低（即单位面积上能集成的存储位数较少）。
主要类型与应用 (Main Types and Applications)
- 双极型SRAM (Bipolar SRAM)：是最主要的类型。利用触发器结构存储数据，速度快，但功耗和成本高。曾广泛应用于高速缓存、寄存器文件等对速度要求苛刻的领域。
- 双极型ROM (Bipolar ROM)：如熔丝型PROM（Programmable ROM），利用熔断或未熔断的熔丝来代表“0”或“1”。也因其编程速度较快而被使用过。
- 其他：历史上还存在过双极型DRAM等，但均因功耗和集成度劣势被MOS技术取代。
技术演进与现状 (Evolution and Current Status)
- 随着金属氧化物半导体（MOS）技术，特别是互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的飞速发展，CMOS存储器在功耗、集成度和成本上展现出巨大优势。
- 虽然CMOS SRAM的速度一度不及双极型SRAM，但CMOS技术的持续进步（按比例缩小、工艺改进）使其速度不断提升，同时保持了极低的功耗和极高的集成度。
- 因此，自20世纪80年代中后期起，双极型半导体存储器在主流应用领域（如计算机主内存、通用存储器）已基本被CMOS存储器取代。现代计算机系统中的内存（DRAM）、缓存（SRAM）、闪存（Flash）等几乎全部基于CMOS技术。
特殊应用 (Specialized Applications)
- 在极少数对速度要求达到极致、且功耗和成本非首要考虑因素的特殊领域（如某些高速数据采集、雷达信号处理、航空航天电子系统），基于先进双极工艺（如SiGe BiCMOS）或ECL（发射极耦合逻辑）的高速SRAM可能仍有应用，但这属于非常小众的市场。

总结 (Summary): “双极型半导体存储装置”指利用双极型晶体管实现数据存储的半导体存储器，尤以双极型SRAM为代表。其核心特点是高速，但伴随高功耗、低集成度的缺点。在半导体存储器发展史上曾因其速度优势占据重要地位，但最终因其功耗和集成度劣势，在主流应用中被更先进的CMOS技术所取代。目前仅存于少数对速度有极端要求的特殊领域。

参考来源 (Reference Sources):

《半导体器件物理与工艺》(施敏, 伍国珏著) - 标准教材，详细讲解双极晶体管原理及存储器基础。
IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC) - 权威期刊，刊载存储器技术演进历史与性能比较的论文。
《超大规模集成电路设计导论》(Neil Weste, David Harris著) - 介绍各类存储器结构、特性及CMOS对双极的替代。
JEDEC 标准文档 (如JESD21-C) - 行业标准组织，定义包括早期PROM在内的存储器类型和接口规范。

网络扩展解释

双极型半导体存储装置是一种基于双极型晶体管技术的存储设备，其核心特点在于同时利用电子和空穴两种载流子实现数据存储与传输。以下从定义、原理、特点及应用四个方面进行详细说明：

1.定义与结构

双极型半导体指器件内部同时存在电子（N型区）和空穴（P型区）两种载流子参与导电的半导体材料。存储装置则通过双极型晶体管（BJT）构成存储单元，例如双极型随机存储器（Bipolar RAM），属于早期半导体存储器的一种。

2.工作原理

载流子作用：通过控制基极电流调节电子与空穴的复合过程，实现逻辑状态的切换（如“0”和“1”）。
存储机制：静态存储方式依赖双稳态电路交叉反馈保持信息，无需刷新；动态存储则通过电容电荷存储数据，需周期性刷新。

3.核心特点

高速性：相比MOS型存储器，双极型存储器的存取速度快约3个数量级，曾用于早期计算机的缓冲存储器。
功耗与集成度：功耗较高，集成度较低，适合小容量高速场景（如Cache），而MOS型更适用于大容量主存。
接口简化：与双极型逻辑电路兼容，减少了系统接口复杂度。

4.应用与演变

历史地位：作为最早商用的半导体存储器，显著提升了计算机运算速度。
现状：因功耗和成本问题，逐渐被CMOS等低功耗技术替代，但在特定高速领域仍有应用。

双极型半导体存储装置以高速为核心优势，但因功耗限制，现多用于特殊场景。现代存储器技术（如DRAM、Flash）多基于MOS工艺，兼具高集成度与低功耗特性。