雙晶體管英文解釋翻譯、雙晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 pair transistor

分詞翻譯：

雙的英語翻譯：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

雙晶體管（Dual Transistor）是電子工程領域中的複合半導體器件，指将兩個獨立的晶體管集成在同一封裝内的結構。該設計通常用于優化電路性能或簡化電路闆布局，常見于放大器、開關電路及功率管理模塊中。根據配置方式，可分為達林頓對（Darlington Pair）和互補對稱對（Complementary Pair）兩種主要類型。

1. 結構特性與工作原理

達林頓雙晶體管由兩個雙極型晶體管（BJT）級聯組成，總電流增益為兩者乘積，公式為： $$ beta_{total} = beta_1 times beta_2 $$ 這種結構可提供超過10,000的高增益值，適用于傳感器信號放大等低電流場景。互補對稱對則采用PNP與NPN晶體管組合，能實現推挽輸出，減少交越失真（Crossover Distortion）。

2. 典型應用場景

音頻放大器：如TI公司的LM380芯片采用互補雙晶體管結構提升輸出功率（來源：Texas Instruments應用手冊）
開關電源：安森美半導體NXV2220系列将雙MOSFET與驅動電路集成，用于DC-DC轉換（來源：ONSemi技術文檔）
邏輯門電路：ECL（Emitter-Coupled Logic）設計中常用達林頓對加速信號傳輸（來源：IEEE固态電路期刊）

3. 技術參數标準

根據JEDEC（固态技術協會）JESD77F标準，雙晶體管封裝需滿足以下要求：

熱阻（RθJA）低于100°C/W
最大集電極電流Ic ≥ 500mA
截止頻率fT範圍1-300MHz（來源：JEDEC官網）

網絡擴展解釋

“雙晶體管”這一表述可能存在歧義。根據搜索結果分析，可能您實際詢問的是“雙極晶體管”（雙極性結型晶體管，Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT），以下是關于該術語的詳細解釋：

1.基本定義

雙極晶體管是一種三端半導體器件，由三個摻雜程度不同的半導體區域（P型和N型）組成，其核心特征是工作時同時涉及電子和空穴兩種載流子的流動（因此稱為“雙極性”）。它的全稱是“雙極性結型晶體管”（BJT），也被俗稱為“三極管”。

2.結構與分類

結構類型：根據半導體區域的排列方式，分為NPN型和PNP型兩種。例如，NPN型由兩層N型半導體夾着一層P型半導體構成，而PNP型則相反。
三個電極：分别為發射極（E）、基極（B）和集電極（C），其中基極用于控制電流的導通與截止。

3.工作原理

以NPN型為例：

當在基極（B）和發射極（E）之間施加正向電壓時，發射區的電子注入基區。
由于基區極薄且摻雜濃度低，大部分電子會穿過基區到達集電區，形成集電極電流（IC），而少量電子與基區的空穴複合形成基極電流（IB）。
集電極電流的大小由基極電流控制，滿足關系式：
$$ I_C = beta I_B $$
其中β為電流放大系數。

4.核心特點

電流控制型器件：通過微小的基極電流控制較大的集電極電流，具備電流放大功能。
快速響應：適用于高頻電路，但功耗較高。
與場效應管的區别：場效應管（FET）為單極性器件（僅一種載流子參與導電），而雙極晶體管為雙極性。

5.應用領域

雙極晶體管廣泛用于模拟電路（如放大器、振蕩器）和數字電路（如開關電路），其發明者曾獲1956年諾貝爾物理學獎。

補充說明

若您所指的“雙晶體管”是其他含義（如兩個獨立晶體管組合），請進一步補充說明。當前解釋基于行業通用術語“雙極晶體管”的權威定義。更多技術細節可參考東芝半導體官網或21ic電子網。