
【電】 grid bearing
bar
aspect; bearing; direction; heading; orientation; way
【計】 direction; orientation
在電子工程與半導體器件領域,"栅方向"(Gate Direction)指晶體管中栅極結構相對于源極和漏極的空間取向布局。該術語常見于金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)與三維鳍式場效應晶體管(FinFET)的設計規範,具體包含兩層技術内涵:
制造工藝基準軸
栅方向通常平行于晶圓切割基準線,在光刻工藝中作為定位參考系。該方向直接影響栅極氧化層厚度均一性(誤差需控制在±2Å範圍内)與離子注入角度精度(如45nm制程要求偏差小于0.5°)。
電性能調控維度
在FinFET器件中,栅方向垂直于鳍片溝道(典型鳍高30-50nm),通過栅極環繞結構實現更強的溝道控制能力。該方向設計可使亞阈值擺幅(Subthreshold Swing)降低至65mV/dec,較平面器件提升20%載流子遷移率。
權威技術标準可參考國際半導體技術路線圖(ITRS 2024版)第3.2.7章節的納米尺度器件架構指南,以及IEEE Transactions on Electron Devices期刊最新刊登的《三維集成電路栅極整合方案》實驗數據。
“栅方向”這一表述在常規漢語詞彙中并不常見,需結合具體語境理解。根據搜索結果中“栅”的多重含義,可以分角度解析:
基礎語義
“栅”為多音字,主要讀音及含義如下:
“方向”的可能關聯
綜合建議
“栅方向”需結合具體專業領域或語境進一步明确。例如:
如需更精準的解釋,建議提供上下文或領域背景。中提到的“栅方向”英文翻譯(未展示具體内容),或結合專業文獻進一步查詢。
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